功率(Pd) | 1.1W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 6pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 430mΩ@4.5V,0.4A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.5nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 39pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 1.1A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
产品名称:SI3099-TP
类型:场效应管 (MOSFET)
功率:830mW
额定电压:30V
额定电流:1.1A
管脚类型:N沟道
封装类型:SOT-23
品牌:MCC (美微科)
SI3099-TP 是一款高性能的 N 沟道场效应管,具有830mW 的功率承载能力,最大电流可达 1.1A,并且其额定工作电压为30V。其采用 SOT-23 封装,体积小、易于放置,适合在空间受限的应用中使用。此外,该产品的高导通电阻 (Rds(on)) 特性确保了在整流、开关和低功耗设备中,能够有效减少能耗和热量生成。
电压和电流性能:SI3099-TP 在高达30V的工作电压下,能够承受最多1.1A的源电流,适用于各种中等功率负载的控制与开关应用。
热特性:其830mW的功率处理能力使得 SI3099-TP 能够在较高的环境温度下运行,且具备良好的热管理性能,可有效散热,从而提高系统的稳定性和可靠性。
导通电阻:该 MOSFET 在开启状态下(Vgs=10V 时)的导通电阻非常低,通常可达到数毫欧,从而能够最小化功耗。
驱动特性:SI3099-TP 采用更低的阈值电压(Vgs(th)),提供较好的开启性能,特别是在逻辑电平驱动应用中表现出色,可以直接以TTL或CMOS信号进行驱动。
SI3099-TP广泛应用于多种电子设备和电路设计中,具体包括但不限于:
电源管理系统:在DC-DC转换器、线性稳压器等应用中,作为开关元件进行高效的电源控制。
电机控制:在DC电机驱动和步进电机控制中,SI3099-TP可以用作开关元件,保持高效率和响应速度。
开关电源(SMPS):在各种开关电源系统中,SI3099-TP 的高频开关能力能有效提高整体电源效率。
负载开关:适用于各种负载的控制,能够实现高效的通断功能,以减少能耗并提升电路的功能性。
信号开关:由于其良好的开关特性,SI3099-TP也可用于模拟信号开关和数字信号开关应用中。
作为美微科(MCC)公司推出的优质 N 沟道场效应管,SI3099-TP 以其优异的电气性能和适用的封装形式,适合于多种中等功率电子产品和系统中。凭借其低导通电阻、高功率处理能力及多样化的应用潜力,SI3099-TP 成为设计工程师在创建高效、可靠电子电路时的理想选择。在现代智能设备、工业控制和自动化领域中,其重要性愈加突出,能够助力设计出更具竞争力的电子产品。