SI3099-TP 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SI3099-TP

商品编码: BM0224274811
品牌 : 
MCC(美微科)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 830mW 30V 1.1A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
2995(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.559
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.559
--
200+
¥0.0819
--
1500+
¥0.08112
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI3099-TP参数

功率(Pd)1.1W反向传输电容(Crss@Vds)6pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)430mΩ@4.5V,0.4A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)1.5nC@10V
漏源电压(Vdss)30V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)39pF@15V连续漏极电流(Id)1.1A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA

SI3099-TP手册

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SI3099-TP概述

产品概述: SI3099-TP

一、基本信息

产品名称:SI3099-TP
类型:场效应管 (MOSFET)
功率:830mW
额定电压:30V
额定电流:1.1A
管脚类型:N沟道
封装类型:SOT-23
品牌:MCC (美微科)

二、产品特性

SI3099-TP 是一款高性能的 N 沟道场效应管,具有830mW 的功率承载能力,最大电流可达 1.1A,并且其额定工作电压为30V。其采用 SOT-23 封装,体积小、易于放置,适合在空间受限的应用中使用。此外,该产品的高导通电阻 (Rds(on)) 特性确保了在整流、开关和低功耗设备中,能够有效减少能耗和热量生成。

三、性能参数

  1. 电压和电流性能:SI3099-TP 在高达30V的工作电压下,能够承受最多1.1A的源电流,适用于各种中等功率负载的控制与开关应用。

  2. 热特性:其830mW的功率处理能力使得 SI3099-TP 能够在较高的环境温度下运行,且具备良好的热管理性能,可有效散热,从而提高系统的稳定性和可靠性。

  3. 导通电阻:该 MOSFET 在开启状态下(Vgs=10V 时)的导通电阻非常低,通常可达到数毫欧,从而能够最小化功耗。

  4. 驱动特性:SI3099-TP 采用更低的阈值电压(Vgs(th)),提供较好的开启性能,特别是在逻辑电平驱动应用中表现出色,可以直接以TTL或CMOS信号进行驱动。

四、应用领域

SI3099-TP广泛应用于多种电子设备和电路设计中,具体包括但不限于:

  1. 电源管理系统:在DC-DC转换器、线性稳压器等应用中,作为开关元件进行高效的电源控制。

  2. 电机控制:在DC电机驱动和步进电机控制中,SI3099-TP可以用作开关元件,保持高效率和响应速度。

  3. 开关电源(SMPS):在各种开关电源系统中,SI3099-TP 的高频开关能力能有效提高整体电源效率。

  4. 负载开关:适用于各种负载的控制,能够实现高效的通断功能,以减少能耗并提升电路的功能性。

  5. 信号开关:由于其良好的开关特性,SI3099-TP也可用于模拟信号开关和数字信号开关应用中。

五、总结

作为美微科(MCC)公司推出的优质 N 沟道场效应管,SI3099-TP 以其优异的电气性能和适用的封装形式,适合于多种中等功率电子产品和系统中。凭借其低导通电阻、高功率处理能力及多样化的应用潜力,SI3099-TP 成为设计工程师在创建高效、可靠电子电路时的理想选择。在现代智能设备、工业控制和自动化领域中,其重要性愈加突出,能够助力设计出更具竞争力的电子产品。