功率(Pd) | 1.8W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 210pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@2.5V,5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 19.5nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.73nF@6V | 连续漏极电流(Id) | 6A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
AP2317A 产品概述
AP2317A是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),设计用于处理大电流和低电压应用。具有1.8W的功率、电压范围为20V、最大电流可达6A,这使得AP2317A在许多电子设备和电源管理方案中表现出色。该器件采用紧凑的SOT-23-3封装,适合于空间受限的设计。
电气性能:
封装特性:
开关特性:
AP2317A适用于广泛的电子应用,包括但不限于:
AP2317A MOSFET凭借其卓越的性能和多样的应用场景,在电源管理和自动化控制领域中展现出强大的优势。无论是在便携设备、工业控制或是电动机驱动中,AP2317A都能够有效降低功耗、提升设备的工作效率,符合现代电子产品对小型化、高效率及高可靠性的需求。
由于其出色的设计和特性,AP2317A成为工程师和设计师在开发创新产品时的不二选择。在当今电子产品日益向低功耗、高效能方向发展的趋势下,AP2317A无疑是实现这一目标的重要组成部分。