AP6800
AP6800参数
| 功率(Pd) | 1.2W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 77pF@15V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@10V,5.8A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 4nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 2个N沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 823pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 5.8A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
AP6800手册
AP6800概述
AP6800 产品概述
一、产品背景
随着电子技术的不断发展，场效应管（MOSFET）在各类电子设备中的应用日益广泛。AP6800是由ALLPOWER（铨力）推出的一款高性能N沟道MOSFET，具有杰出的电气特性和热性能。其广泛适用于电源管理、开关电源、电机控制、以及各种高频应用。凭借其小型化的SOT-23-6封装，AP6800可为设计带来更大的灵活性和空间优化。
二、产品规格
- 型号: AP6800
- 类型: N沟道 MOSFET
- 最大功耗: 1.2W
- 最大耐压: 30V
- 最大持续电流: 5.8A
- 封装形式: SOT-23-6
- 品牌: ALLPOWER（铨力）
三、技术特性
高导通能力: AP6800具有良好的传导特性，能够承受高达5.8A的持续电流。这一特性使其在负载要求较高的应用中表现出色，能够有效地降低开关损耗，提高系统的整体效率。
较低的导通电阻: 该MOSFET在导通状态下具有较低的R_DS(on)值，这可以极大地减少电路中的功耗，提高可靠性，尤其在高频开关电源设计中尤为重要。
优越的热管理: AP6800的封装设计充分考虑了散热机制，可以有效地将设备产生的热量散发出去，从而提升器件的工作稳定性和寿命。
宽广的适用电压范围: 最大耐压为30V，使得AP6800尤其适合多种电源环境和应用场景。
四、应用领域
由于其出色的性能和规格，AP6800能够满足多种应用的需求，包括但不限于：
开关电源: 在开关电源设计中，AP6800能够作为主开关元件，有效提高转换效率。
电机控制: 由于其高功率处理能力，该MOSFET可用于驱动电机，提供精确的速度控制和高效的能量转换。
DC-DC转换器: 在各种DC-DC转换器中应用，可以帮助实现高效的电压转换，满足不同负载对电源的需求。
LED驱动电路: 适合用于LED驱动电路中，以控制LED灯的亮度，提升灯具的能效比。
消费电子: AP6800也适用于各类便携设备和消费电子产品，帮助这些设备实现小型化和高效能。
五、总结
AP6800是ALLPOWER（铨力）推出的一款具有极高性价比的N沟道MOSFET，凭借其小巧的SOT-23-6封装和卓越的电气性能，能够满足现代电子产品对高效能和小型化的需求。无论是在电源管理还是在驱动控制等多领域，AP6800都能够为用户提供强有力的解决方案，助力电子设计工程师轻松应对日益复杂的电路设计挑战。在选择高性能开关元件时，AP6800无疑是一个值得信赖的选择。