功率(Pd) | 750mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 27pF@6V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 160mΩ@2.5V,1A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 漏源电压(Vdss) | 20V |
类型 | 1个P沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 210pF@6V |
连续漏极电流(Id) | 2A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 950mV@250uA |
AP2301B是一款由知名品牌ALLPOWER(铨力)生产的场效应管(MOSFET),其设计目的是提供高效能和高可靠性的电源开关解决方案。作为一款P沟道MOSFET,AP2301B在许多电子电路中展现出卓越的性能,主要应用于功率调节和控制。封装形式为SOT-23-3,使其在体积和散热性能上的表现均衡,为小型化设计提供了良好的支持。
额定功率与电压: AP2301B的最大功率可达750mW,最高工作电压为20V,能满足多种低功耗和中功率应用需求。其额定电流为2A,适用于较高电流需求的电路。
类型与封装: 作为P沟道MOSFET,AP2301B能够在负载开关、负载调节和电流控制等方面提供优异的性能表现。SOT-23封装的设计使其能够在有限空间内工作,适用于手机、便携式设备和其他小型电子产品。
优良的开关性能: AP2301B具有较低的导通电阻(Rds(on)),使得其在开启状态下的电能损耗极小,提升了整体电路效率。此外,其开关速度快,可实现高频开关操作,适用于开关电源和其他中频应用。
热稳定性: 该MOSFET具备良好的热稳定性,即便在高负载情况下也能维持稳定的工作状态,不易过热,有利于提升设备的可靠性和寿命。
抗干扰能力: AP2301B具有较强的抗干扰能力,能够适应电流波动和瞬态电压变化,因此在不稳定环境下也能稳定工作。
开关电源: AP2301B广泛应用于开关电源中,负责控制电流的启闭,确保电源稳定输入输出。
LED驱动: 由于其出色的开关性能和低功耗特性,AP2301B常被应用于LED照明设备中,负责调节和控制LED的亮度。
电机驱动: AP2301B适用于小型电机的控制,能够有效调节电机的启停和速度,广泛应用于风扇、泵和其他电动设备中。
便携式设备: 在移动设备中,AP2301B因其小巧的SOT-23封装和低功耗特性,成为各类便携式设备的理想选择,确保设备在低功耗状态下运行。
电池管理系统: 在电池管理系统中,AP2301B可用于开关和保护电路,确保电池在充放电过程中的安全和效率。
AP2301B作为一款性能卓越的P沟道MOSFET,不仅在设计上注重体积和功率的平衡,还在实际应用中展现出卓越的性能。它适合用于开关电源、LED驱动以及各类便携式设备,成为现代电子设计中不可或缺的重要元件。随着小型化和高效率电子产品需求的不断增加,AP2301B的市场潜力无疑将持续扩大,为设计工程师提供更广泛的设计灵活性和可靠性。