AP40P04Q 产品实物图片
AP40P04Q 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AP40P04Q

商品编码: BM0224264839
品牌 : 
ALLPOWER(铨力)
封装 : 
PDFN3x3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 7mΩ@20V,30A 40V 30A 1个P沟道 PDFN3x3
库存 :
104(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.4975
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.4975
--
100+
¥0.497
--
1250+
¥0.4965
--
2500+
¥0.496
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

AP40P04Q参数

功率(Pd)20W反向传输电容(Crss@Vds)265pF@20V
商品分类场效应管(MOSFET)工作温度-55℃~+150℃
栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V漏源电压(Vdss)40V
类型1个P沟道输入电容(Ciss@Vds)2.7nF@20V
连续漏极电流(Id)30A阈值电压(Vgs(th)@Id)1.6V@250uA

AP40P04Q手册

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AP40P04Q概述

产品概述:AP40P04Q MOSFET

前言

随着电子技术的快速发展,场效应管(MOSFET)在现代电力电子领域中扮演着越来越重要的角色。特别是在功率管理、开关电源和电动汽车等应用中,MOSFET因其低导通电阻、高速开关能力和良好的热稳定性而受到青睐。AP40P04Q是由ALLPOWER(铨力)推出的一款P沟道MOSFET器件,其独特的参数和封装设计使其在许多高效能电路中应用广泛。

基本参数

AP40P04Q的核心规格如下:

  • 类型:P沟道MOSFET
  • 导通电阻:7mΩ(在20V栅压下,30A导通电流)
  • 最大漏源电压:-40V
  • 最大脉冲电流:30A
  • 封装:PDFN3x3

这些参数共同确保了AP40P04Q在高负载电流和高效率要求的应用场景中表现出色。

封装与热管理

AP40P04Q采用PDFN(塑封扁平无引脚)封装,尺寸为3x3mm。PDFN封装具有较好的散热特性和小型化优势,适合在空间有限的应用场合中降低PCB(印刷电路板)面积。同时,PDFN封装的底部散热设计可以帮助MOSFET在高功率应用中维持良好的温升管理,确保器件在工作时能够有效散热,延长其使用寿命。

导电特性

AP40P04Q的导通电阻为7mΩ,这一优势使得它在高电流的应用中具有极低的功率损耗。具体来说,在30A的工作条件下,导通损耗的计算如下:

[ P_{loss} = I^2 \times R_{DS(on)} = (30A)^2 \times 7mΩ = 6.3W ]

可以看出,在实际应用中,低导通电阻不仅提升了系统的能效,还降低了整体发热量,提升了系统的可可靠性。

工作特点与应用

AP40P04Q MOSFET特别适合用于:

  1. 开关电源:在DC/DC转换器、逆变器等电源管理设备中,MOSFET提供了快速开关的能力,显著提高了功率转换效率。

  2. 电机驱动:用于驱动直流电机、步进电机和无刷电机等,AP40P04Q的高速开关特性可以提升电动机的响应速度和控制精度。

  3. 负载开关:在功率管理和设备保护电路中,MOSFET能够快速切换负载,减少延迟,提升设备的可靠性。

  4. 电动交通工具:在电动车和混合动力车的动力系统中,AP40P04Q的高效率和低热特性符合电池管理系统和电动驱动框架的要求。

结论

AP40P04Q MOSFET凭借其优越的性能参数、紧凑的封装设计,以及广泛的应用场景,成为了高性能电力电子系统中的理想选择。无论是在新兴的电动交通工具、先进的电源管理解决方案还是丰富的工业控制系统中,购买和使用AP40P04Q将为设计工程师提供了强有力的保障,帮助其实现更高效、更可靠的电路设计。随着对电能效率和系统集成度的不断追求,AP40P04Q无疑将成为未来电力电子应用的重要组成部分。