功率(Pd) | 3W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 278pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9mΩ@10V |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC | 漏源电压(Vdss) | 30V |
类型 | 1个P沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.28nF |
连续漏极电流(Id) | 35A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V |
CJAB35P03是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),其额定功率为3W,电压最大为30V,电流极限可达35A。这款器件采用PDFNWB-8L封装,外形尺寸为3.3mm x 3.3mm,具有体积小、散热性能优良等特点,特别适合用于高密度电子设备中。CJAB35P03由江苏长电(长晶)公司生产,符合先进的制造工艺和严格的质量控制标准,能够满足不同应用场景下的高可靠性需求。
CJAB35P03广泛应用于多个领域,包括但不限于:
CJAB35P03采用PDFN8L封装,封装尺寸为3.3mm x 3.3mm,非常适合高密度集成的电路设计。封装内引脚布局合理,结构紧凑,有效降低寄生电感和电阻,增强稳定性和可靠性。在设计PCB时,可根据产品数据手册中的引脚配置,精准布局。
CJAB35P03作为一种高性能的P沟道MOSFET,凭借其优异的电气特性和广泛的应用场景,成为电子工程师在设计方案中常用的元件之一。它的高电流和低导通电阻特点特别适合电源管理、马达驱动等重要领域,相信在未来的应用中,CJAB35P03能够继续发挥其独特的优势,满足客户的多样化需求。对于研发团队来说,选择CJAB35P03将提供高效且可靠的解决方案,为复杂的电子设备增添强大的动力和效率。