NST235-DSTR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NST235-DSTR

商品编码: BM0224136661
品牌 : 
NOVOSENSE(纳芯微)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
4(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.623
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.623
--
200+
¥0.622
--
1500+
¥0.621
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

NST235-DSTR参数

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NST235-DSTR手册

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NST235-DSTR概述

NST235-DSTR 产品概述

一、产品简介

NST235-DSTR 是由中国著名的半导体制造公司 NOVOSENSE(纳芯微)推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 SOT-23 封装。该产品因其优良的特性和广泛的应用而备受关注,适合于多种电子设备和电路设计。

二、主要特点

  1. 高效能:NST235-DSTR 拥有优秀的导通电阻(RDS(on)),确保在低栅电压的条件下仍能实现高效能的导电,使其适用于低功耗应用。

  2. 高速开关:与传统的 MOSFET 相比,NST235-DSTR 具备更快的开关速度,适合于开关电源、DC-DC 转换器等对切换速度要求较高的电路。

  3. 稳定性:该组件在高温条件下依然能够维持良好的性能,展现出高度的热稳定性,适合在极端工作环境下使用。

  4. 出色的温度特性:NST235-DSTR 的特性曲线在-55°C 到 +150°C 的温度范围内表现稳定,因此在汽车电子或工业控制等高温环境下应用广泛。

  5. 低门限电压:较低的门限电压使该 MOSFET 可以在更低的电压下驱动,增加了设计的灵活性并降低了整体功耗。

三、技术规格

  • 封装:SOT-23,尺寸小巧,方便在空间有限的应用中使用。
  • 最大漏极源极电压 (VDS):该产品支持最大 20V 的电压,能够满足大多数低压应用的需求。
  • 最大漏极电流 (ID):在适当的散热条件下,最大漏极电流可达到 3A,适合多种驱动和开关应用。
  • 最大功耗 (PD):其功耗性能在合理的散热条件下可达到 500mW。

四、应用领域

NST235-DSTR MOSFET 在市场中具有广泛的应用,具体包括:

  1. DC-DC 转换器:由于其高效能和快速切换能力,NST235-DSTR 常用于开关电源和 DC-DC 转换电路中,能够有效提升电源转换效率。

  2. 电池供电设备:在电池管理系统中,可以用此 MOSFET 进行有效的电池监控和管理,实现对电池充电/放电过程的精确控制。

  3. 电动机驱动:因其能够承受高电流,NST235-DSTR 被广泛应用于电动机驱动电路中,适用于电动工具和家电控制系统。

  4. 自动化设备:在工业自动化领域,通过其高效能实现元器件的快速切换,提高了生产效率,降低了功耗。

  5. 电源管理:此产品在各种消费电子产品中被用作负载开关,具备良好的控制性能,能精确调节电源的供应。

五、总结

NST235-DSTR 作为 NOVOSENSE(纳芯微)品牌下的一款高效能 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的性能和多样的应用场景,已经成为许多现代电子设备中的关键组件。其小巧的 SOT-23 封装不仅便于应用于紧凑型设计,还为用户提供了更大的灵活性。在未来的电子产品中,NST235-DSTR 将继续发挥其重要作用,助力各类创新应用的实现。

结语

随着电子工业的不断发展,市场对高效、可靠的 MOSFET 的需求将持续增长,而 NOVOSENSE(纳芯微)的 NST235-DSTR 正是满足这一需求的理想选择。无论是在新产品研发还是在现有系统的优化中,NST235-DSTR 都将为设计工程师提供强有力的支持。