CRST073N15N 产品实物图片
CRST073N15N 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

CRST073N15N

商品编码: BM0224136141
品牌 : 
CRMICRO(华润微)
封装 : 
TO-220
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 227W 150V 160A 1个N沟道 TO-220
库存 :
100(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
4.4
按整 :
管(1管有50个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.4
--
500+
产品参数
产品手册
产品概述

CRST073N15N参数

功率(Pd)227W反向传输电容(Crss@Vds)31pF@75V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6.2mΩ@10V,60A
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)漏源电压(Vdss)150V
类型1个N沟道输入电容(Ciss@Vds)5.416nF@75V
连续漏极电流(Id)160A阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA

CRST073N15N手册

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CRST073N15N概述

CRST073N15N 产品概述

一、产品简介

CRST073N15N 是由华润微(CRMICRO)生产的一款高性能 N 沟道场效应管(MOSFET),其具有显著的电气特性和优秀的热性能。该器件封装形式为 TO-220,适合于多种高性能电子应用。CRST073N15N 以其 227W 的功耗能力、150V 的额定电压以及高达 160A 的额定电流,成为了高功率和高电流电路中的理想选择。

二、产品特点

  1. 高电压范围:CRST073N15N 的最大漏极到源极电压为 150V,确保在高电压电路中稳定工作。

  2. 高电流能力:器件可承受最大漏极电流为 160A,适用于需要大电流的应用场景,如电源转换器和电动机驱动控制。

  3. 高功率损耗:器件的额定功率可达 227W,具备卓越的散热性能,适合高功率应用,能够有效降低工作温度并提高系统效率。

  4. 低导通电阻:CRST073N15N 具有较低的 R_DS(on) 值,意味着在导通状态下能量损耗较小,使其在高频率和高功率应用中更为高效。

  5. 快速开关特性:该产品具有快速的导通和关断时间,适合于高频开关应用,能够提升整体电路的效率。

  6. TO-220 封装:TO-220 是一种常见的封装形式,具有优良的散热性能,能够方便地与散热器配合使用,确保器件在高负载条件下的可靠性。

三、应用领域

CRST073N15N 广泛应用于多个领域,特别是在需要高电压、高电流输出的电子系统中。典型应用包括:

  • 电源转换器:在开关电源和 DC-DC 转换器中承担主要开关元件的角色,能够实现高效能量转换。

  • 电动机驱动:用于各类电动机驱动控制系统,包括工业电动机、家用电器和电动工具。

  • 汽车电子:在电动车辆和新能源汽车等领域,作为功率控制元件,提升系统性能和可靠性。

  • 光伏逆变器:在光伏系统中将直流电转换为交流电,CRST073N15N 的高功率和高效率特性非常适合此类应用。

  • 电力电子产品:如 UPS(不间断电源)设备、变频器等,帮助提升整体系统性能和稳定性。

四、技术参数

  • 类型:N 沟道 MOSFET
  • 最大漏极电压 (V_DS):150V
  • 最大漏极电流 (I_D):160A
  • 最大功率消耗 (P_D):227W
  • 导通电阻 (R_DS(on)):低于 10mΩ(具体值依据批次可能会有所不同)
  • 封装类型:TO-220

五、总结

CRST073N15N 是华润微推出的一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,凭借其高电压、高电流和高功率损耗能力,能够有效满足现代电子设备对元件的严苛要求。无论是在电源转换、电子设备控制还是高性能电动机驱动等领域,CRST073N15N 都能为设计工程师提供先进而可靠的解决方案。凭借 TO-220 的优越封装设计,该器件不但提升了散热性能,也增加了在多种应用中的灵活性。对于致力于优化其电子系统性能的工程师来说,CRST073N15N 必将是一个不可或缺的重要组件。