CS3N150AHR 产品实物图片
CS3N150AHR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

CS3N150AHR

商品编码: BM0224136140
品牌 : 
CRMICRO(华润微)
封装 : 
TO-3PH
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 32W 1.5kV 3A 1个N沟道 TO-3PH
库存 :
61(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
4.3
按整 :
管(1管有25个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.3
--
250+
产品参数
产品手册
产品概述

CS3N150AHR参数

功率(Pd)32W反向传输电容(Crss@Vds)2.8pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5Ω@10V,1.5A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)37.6nC@10V
漏源电压(Vdss)1.5kV类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)2.036nF@25V连续漏极电流(Id)3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA

CS3N150AHR手册

empty-page
无数据

CS3N150AHR概述

CS3N150AHR 产品概述

一、基本介绍

CS3N150AHR是一款由华润微(CRMICRO)生产的场效应管(MOSFET),属于N沟道类型,具有32W的功率处理能力、1.5kV的击穿电压和3A的连续漏电流。该元器件采用TO-3PH封装,适用于各种高压和高功率应用场合。凭借其出色的性能,CS3N150AHR在工业、通信、消费电子等领域展现出广泛的应用潜力。

二、主要参数

  1. 功率容量:32W
    此参数表明该MOSFET能够承受的最大功率,允许它在广泛的负载条件下运行而不会损坏。

  2. 击穿电压:1.5kV
    这一规格使得CS3N150AHR适合于高电压应用,其最大支持电压为1500伏特,使得它在电力电子和高压设备中表现出色。

  3. 连续漏电流:3A
    这一参数决定了该MOSFET在正常工作状态下所能承受的最大漏电流,为电路设计师提供了更大的灵活性。

  4. 封装类型:TO-3PH
    TO-3PH封装提供了良好的热管理和机械稳定性,适合要求散热能力强的应用场合。

三、应用场景

CS3N150AHR MOSFET适用的应用场景广泛,包括但不限于:

  1. 电源管理系统:在电源变换器、开关电源中,该MOSFET可用于实现高效的电力转换,提供极低的导通电阻和高效率。

  2. 电机驱动:在工业自动化和电动汽车领域,CS3N150AHR能够驱动电机,尤其是在需要高压、大电流的场合。

  3. 通信设备:作为无线电频率功率放大器中的开关元件,其高压特性使其在基站和通信设备中得到广泛应用。

  4. 消费电子产品:在高性能音响及家电等领域,CS3N150AHR有效地提高能效并降低功耗。

  5. 医疗设备:在医疗影像设备及监测设备中,由于其出色的性能与稳定性,该MOSFET也被广泛应用。

四、性能优势

  1. 高效率:CS3N150AHR使用先进的半导体材料,具有低导通电阻和快速开关特性,有助于提高整体电路的能效,降低热损耗。

  2. 优良的热管理:TO-3PH封装设计使得CS3N150AHR具备良好的散热性能,适合高功率和高密度的布局设计,保证其在长时间工作时的稳定性。

  3. 高可靠性:通过严格的电气和热机械设计,该产品展示了卓越的稳定性和可靠性,能够在多变的工况下保持稳定的性能。

  4. 广泛的兼容性:CS3N150AHR能够与多种控制电路及驱动方案兼容,使其在各种应用环境中具备良好的适应性。

五、结论

华润微的CS3N150AHR是一款高性能、高可靠性的N沟道场效应管,凭借其优越的电气参数和广泛的应用前景,它为诸多工业及消费领域的设计提供了理想的解决方案。无论是在电力管理、电机驱动,还是在通信和消费电子产品中,CS3N150AHR都将以其卓越的性能助力各类创新,为现代电子设备的高效能、低能耗目标做出重要贡献。