CRST045N10N 产品实物图片
CRST045N10N 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

CRST045N10N

商品编码: BM0224136139
品牌 : 
CRMICRO(华润微)
封装 : 
TO-220
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 227W 100V 120A 1个N沟道 TO-220
库存 :
100(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
3.13
按整 :
管(1管有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.13
--
100+
¥2.01705
--
1250+
¥1.99784
--
2500+
¥1.98
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

CRST045N10N参数

功率(Pd)227W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5mΩ@10V,50A漏源电压(Vdss)100V
类型1个N沟道连续漏极电流(Id)120A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA

CRST045N10N手册

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CRST045N10N概述

产品概述:CRST045N10N N沟道MOSFET

一、基本信息

产品型号:CRST045N10N
类型:N沟道场效应管(MOSFET)
额定功率:227W
耐压:100V
持续电流:120A
封装形式:TO-220
品牌:CRMICRO(华润微)

二、产品特点

CRST045N10N是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于电源管理、开关电源、逆变器、马达驱动和其他高功率电子设备中。该元件的高耐压、高电流能力以及优良的导通特性,使其在多种工作场合中都能展现出卓越的性能。

  1. 耐压性能
    该MOSFET的额定耐压高达100V,能够满足大多数中低压电源电路的需求,适合用于高电压环境下的应用,确保安全与稳定的工作。

  2. 高电流承载能力
    CRST045N10N的持续电流高达120A,使其能够驱动大功率负载,同时提供低导通电阻,减少在工作期间产生的热点和能量损耗。

  3. 高开关频率
    该元件的快速开关特性使其能够在较高的频率下稳定工作,从而提高了系统的整体效率,尤其是在开关电源和逆变器等场合。

  4. 封装设计
    採用TO-220封装,CRST045N10N不仅便于散热,而且安装简单,适合各种PCB设计。TO-220封装提供良好的散热管理,使得MOSFET在高负载和高温环境下依然能够稳定工作。

三、应用领域

CRST045N10N广泛应用于以下几个领域:

  1. 开关电源
    在开关电源中,该MOSFET可以作为主开关元件,合理利用其高效能和快速反应特性,提升电源转换效率,降低功耗。

  2. 马达驱动
    在电动机驱动系统中,CRST045N10N的高电流承载能力和快速开关特性使其非常适合用作驱动控制元件,能够高效的控制电机的操作。

  3. 逆变器
    在光伏逆变器和其他类型的逆变器中,该元件能够有效控制直流到交流的转换,大幅提高系统效率,适合使用在可再生能源发电的应用中。

  4. 电源管理系统
    在电源管理系统中,通过配合控制电路,CRST045N10N能够有效管理电源流通,提供过流、过压保护,确保系统安全运行。

四、应用优势

  1. 节能减排
    高效能的CRST045N10N在应用过程中能够显著降低能耗,与传统电子元件相比,能够在诸多场合减少功耗,提高环境友好度。

  2. 提升可靠性
    优异的电流承载能力和耐压性能使得该MOSFET在恶劣工作环境下也得以稳定工作,提升了系统的可靠性和使用寿命。

  3. 便于散热
    TO-220封装设计使得产品有更好的散热性能,降低了过热引发故障的风险,提升了整体设备的工作稳定性。

五、结论

CRST045N10N N沟道MOSFET凭借其227W的功率容量、100V的耐压和120A的电流能力,成为高效电源管理和控制系统中不可或缺的元件。它的高开关频率和卓越的散热特性,使得该组件在各类工业和消费电子领域中均具有显著的应用优势。凭借CRMICRO(华润微)品牌的优质制造,该MOSFET将为您的电子系统提供可靠保障,助力电子产品的创新和优化。