IRFS7730TRL7PP 产品实物图片
IRFS7730TRL7PP 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFS7730TRL7PP

商品编码: BM0224136138
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-263-7(D2PAK)
包装 : 
编带
重量 : 
1.73g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 375W 75V 240A 1个N沟道 TO-263
库存 :
20(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
10.2
按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥10.2
--
100+
¥8.4
--
8000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFS7730TRL7PP参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)75V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)240A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)428nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)13970pF @ 25V
功率耗散(最大值)375W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装D2PAK(7-Lead)
封装/外壳TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)

IRFS7730TRL7PP手册

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IRFS7730TRL7PP概述

IRFS7730TRL7PP 产品概述

IRFS7730TRL7PP 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,专为高功率和高效率应用设计。该器件由英飞凌(Infineon)制造,具备极低的导通电阻和额定的高电流承载能力,使其非常适合于各种电源管理、逆变器和电机驱动应用。

主要参数

  • FET 类型: N 通道
  • 漏源电压(Vdss): 75V
  • 最大连续漏极电流(Id): 240A(Tc 条件下)
  • 驱动电压(Vgs): 6V 至 10V
  • 导通电阻(Rds On): 在 10V 时,100A 时导通电阻最大为 2 毫欧,这意味着在充分驱动下器件的能量损耗极低。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大为 3.7V(在 250µA 条件下),便于驱动电路设计。
  • 栅极电荷(Qg): 最大值为 428nC(在 10V 下),这保持了快速开关性能,有助于提高系统的整体效率。
  • 输入电容(Ciss): 13970pF(在 25V 条件下),提供良好的电气特性,有助于降低开关损耗。
  • 最大功率耗散: 375W(在 Tc 条件下),使其能够处理高功率应用,保证长期稳定运行。
  • 工作温度范围: -55°C 至 175°C,这使得器件可以在极端环境条件下可靠运行。

封装和安装

IRFS7730TRL7PP 采用 D2PAK(TO-263-7)封装,支持表面贴装(SMD)。该封装设计不仅有助于散热,还能有效减少占位面积,便于高密度电路板设计。7 引线设计确保了良好的电气连接性,在高电流应用中特别重要。

应用场景

由于其高电流处理能力和优越的热性能,IRFS7730TRL7PP 被广泛应用于电源转换、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制器等领域。尤其适合需要快速开关和高效能量传递的应用,如电动车、工业自动化、可再生能源系统(如太阳能逆变器)以及消费电子产品的电源模块。

性能优势

IRFS7730TRL7PP 的低导通电阻特性和高功率消耗能力,在提高功率转换效率的同时,大幅度降低了功耗和热量生成。这不仅符合当前节能减排的趋势,还能延长其他元器件的使用寿命和可靠性,特别是在要求严苛的工业和汽车应用中。此外,广泛的工作温度范围使得该器件能够在各种恶劣环境中保证稳定性能。

总结

总之,IRFS7730TRL7PP 是一款高效能、高可靠性的 N 通道 MOSFET,适合多种严苛的应用场合。其先进的设计和制造工艺使其成为现代电力电子系统的重要组成部分。随着对更高效率和更小体积电子元器件需求的上升,IRFS7730TRL7PP 显然是满足这些要求的理想选择,为设计工程师提供了一种出色的解决方案。