FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 75V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 240A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 428nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 13970pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 375W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK(7-Lead) |
封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片) |
IRFS7730TRL7PP 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,专为高功率和高效率应用设计。该器件由英飞凌(Infineon)制造,具备极低的导通电阻和额定的高电流承载能力,使其非常适合于各种电源管理、逆变器和电机驱动应用。
IRFS7730TRL7PP 采用 D2PAK(TO-263-7)封装,支持表面贴装(SMD)。该封装设计不仅有助于散热,还能有效减少占位面积,便于高密度电路板设计。7 引线设计确保了良好的电气连接性,在高电流应用中特别重要。
由于其高电流处理能力和优越的热性能,IRFS7730TRL7PP 被广泛应用于电源转换、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制器等领域。尤其适合需要快速开关和高效能量传递的应用,如电动车、工业自动化、可再生能源系统(如太阳能逆变器)以及消费电子产品的电源模块。
IRFS7730TRL7PP 的低导通电阻特性和高功率消耗能力,在提高功率转换效率的同时,大幅度降低了功耗和热量生成。这不仅符合当前节能减排的趋势,还能延长其他元器件的使用寿命和可靠性,特别是在要求严苛的工业和汽车应用中。此外,广泛的工作温度范围使得该器件能够在各种恶劣环境中保证稳定性能。
总之,IRFS7730TRL7PP 是一款高效能、高可靠性的 N 通道 MOSFET,适合多种严苛的应用场合。其先进的设计和制造工艺使其成为现代电力电子系统的重要组成部分。随着对更高效率和更小体积电子元器件需求的上升,IRFS7730TRL7PP 显然是满足这些要求的理想选择,为设计工程师提供了一种出色的解决方案。