功率(Pd) | 104W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 80pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10V,25A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 45nC |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.3nF | 连续漏极电流(Id) | 50A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
产品概述:AP68N06G N沟道MOSFET
AP68N06G是一款由著名电子元器件制造商ALLPOWER(铨力)生产的高性能N沟道场效应管(MOSFET),其在电源管理和开关应用中发挥着重要作用。该产品的规格参数如下:额定功率104W,最高电压为60V,最大连续电流为50A。它采用DFN-8(5x6)封装,提供出色的热性能和空间效率,特别适合需要高功率和高密度设计的小型电子设备。
AP68N06G广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中,包括但不限于以下几个领域:
虽然AP68N06G在许多应用中都表现出优异的性能,但在使用时仍需考虑以下几点:
AP68N06G N沟道MOSFET凭借其卓越的电气特性和灵活的应用场景,已成为电子设计师和工程师们选择的重要元器件。其高电流承载能力、低导通电阻和快速开关响应,使其在现代电子设备中发挥着不可或缺的作用。无论是在电源管理系统还是在电动机驱动等多种应用场合,AP68N06G都能够提供极高的可靠性与能效,是实现高性能电路设计的理想选择。