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AP68N06G 产品实物图片
AP68N06G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AP68N06G

商品编码: BM0224106999
品牌 : 
ALLPOWER(铨力)
封装 : 
DFN(5x6)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 104W 60V 50A 1个N沟道 PDFN-8(5x6)
库存 :
5954(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.434
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.434
--
500+
¥0.433
--
2500+
¥0.432
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

AP68N06G参数

功率(Pd)104W反向传输电容(Crss@Vds)80pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,25A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)45nC
漏源电压(Vdss)60V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)2.3nF连续漏极电流(Id)50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA

AP68N06G手册

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AP68N06G概述

产品概述:AP68N06G N沟道MOSFET

AP68N06G是一款由著名电子元器件制造商ALLPOWER(铨力)生产的高性能N沟道场效应管(MOSFET),其在电源管理和开关应用中发挥着重要作用。该产品的规格参数如下:额定功率104W,最高电压为60V,最大连续电流为50A。它采用DFN-8(5x6)封装,提供出色的热性能和空间效率,特别适合需要高功率和高密度设计的小型电子设备。

1. 技术特点

  • 高电流能力:具有最高可承受的连续电流达到50A,AP68N06G在苛刻的电源环境下依然可以保持稳定的性能,适合大功率应用。
  • 宽工作电压范围:额定电压达60V,AP68N06G可以满足多种电源管理方案中的高压需求。
  • 低导通电阻:该MOSFET的导通电阻低,减少了功耗和发热,提升了整体能效,使得在大电流流过时依然能保持低温工作,从而提高了设备的可靠性。
  • 快速开关响应:AP68N06G能够快速切换,适合高频率开关的应用需求,如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
  • 紧凑封装:DFN-8(5x6)封装形式,不仅优化了占用空间,还具有良好的散热性能,进一步延长了元器件及其所处系统的使用寿命。

2. 应用领域

AP68N06G广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中,包括但不限于以下几个领域:

  • 电源管理:在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器中应用良好,能够高效地调节电流和电压,提升电源的能效。
  • 电机驱动:在电动机控制系统中,AP68N06G能够有效地实现对电机的开关控制,适用于电动车、电动工具等领域。
  • LED照明:在LED驱动电路中,利用AP68N06G低热损耗特性,可以优化LED灯具的使用效率和延长其工作寿命。
  • 汽车电子:该MOSFET也适用于各种汽车电子设备,如电源分配、驱动控制等,能够承受汽车环境中的高温和电压波动。

3. 安装和应用注意事项

虽然AP68N06G在许多应用中都表现出优异的性能,但在使用时仍需考虑以下几点:

  • 散热设计:尽管该MOSFET具有较好的热性能,但在高功率应用中,仍需注意散热设计,以避免因过热而导致损坏。
  • 电路设计:在电路设计中,应考虑MOSFET的导通电阻及其控制信号的质量,以便实现最佳性能。
  • 兼容性问题:在选择和使用AP68N06G时,需确保其与其他电子元件的兼容性,包括电压、电流和频率等参数,以确保系统的稳定性和安全性。

4. 总结

AP68N06G N沟道MOSFET凭借其卓越的电气特性和灵活的应用场景,已成为电子设计师和工程师们选择的重要元器件。其高电流承载能力、低导通电阻和快速开关响应,使其在现代电子设备中发挥着不可或缺的作用。无论是在电源管理系统还是在电动机驱动等多种应用场合,AP68N06G都能够提供极高的可靠性与能效,是实现高性能电路设计的理想选择。