功率(Pd) | 1W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 58pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 57mΩ@4.5V,3A |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.1nC@2V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 503pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 3A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 700mV@250uA |
AP2301是一款基于场效应管(MOSFET)技术的功率元件,专为高效能电子应用设计,具有显著的电气特性和热性能。该器件的主要参数为1W功率、20V额定电压和3A额定电流,适用于要求较高的电源管理、开关电路和功率调节应用。同时,AP2301采用SOT-23封装,具有小型化、集成度高等优点,广泛应用于消费电子、工业控制和通讯设备等领域。
AP2301采用SOT-23封装。相较于传统的DPAK或TO-220封装,SOT-23封装的体积更小,适应更紧凑的电路设计需求。这一特性使得AP2301在移动设备、穿戴设备等空间受到限制造成的挑战下,能够提供良好的解决方案。同时,SOT-23虽小,但其散热性能依然得到了有效保障,确保器件在持续工作的条件下也不会过热。
AP2301的设计使其适用于多种应用场景:
AP2301作为一款P沟道MOSFET,其优越的电气特性表现在多个方面:
总之,AP2301作为一款高效能的P沟道MOSFET,具备了优良的电气特性和广泛的应用潜力。其小巧的SOT-23封装使其成为现代电子设计中极具价值的解决方案,尤其适合电源管理、LED驱动和负载控制等领域。随着对更高性能和更小尺寸电子元器件的需求不断增长,AP2301将继续发挥其独特的优势,满足市场的多样化需求。