功率(Pd) | 5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 14pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 115mΩ@10V,3A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.5nC |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 210pF | 连续漏极电流(Id) | 5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
AP5N10S 是一种高性能的 N 沟道场效应晶体管(MOSFET),其主要特点是能够支持最高 100V 的工作电压和 5A 的最大放大电流。该元件采用 SOT-23-3L 封装,体积小巧,适合于多种电子设备和电路中广泛的应用。ALLPOWER(铨力)作为该元件的制造商,以其优秀的可靠性和卓越的性能在业界享有盛誉。
N 沟道设计:N 沟道 MOSFET 采用了 N 型半导体材料,在得到正向电压后,能够有效地导通电流。相较于 P 沟道 MOSFET,N 沟道具有更低的导通电阻和更好的开关性能,尤其适合高功率和高频率的应用场景。
额定电压与电流:AP5N10S 的额定电压可达到 100V,最大持续电流为 5A。这使得该 MOSFET 能够应对诸如升压转换器、功率放大器和其他高电压驱动电路等高电压复杂应用。
SOT-23-3L 封装:该封装尺寸小、占板空间少,使得 AP5N10S 特别适合于小型化电子设备。这种封装的散热性能良好,有利于延长元件的使用寿命,并提高电路的整体性能。
低导通阻抗:AP5N10S 具有较低的 R_DS(on) 值,这意味着在工作时能显著降低能量损耗,提高效率。这对于高效能紧凑型电源设计尤为重要,可以有效降低发热,提高系统的可靠性。
AP5N10S N 沟道 MOSFET 在各个电力电子应用中非常多见,包括但不限于:
AP5N10S 是一款设计精良且性能优越的 N 沟道 MOSFET,适合于多种现代电子应用。凭借其高漏极电压、显著的导通性能以及紧凑的 SOT-23-3L 封装,AP5N10S 不仅满足了电子设备对能效和尺寸的苛刻要求,更为广大工程师在新产品开发时提供了可靠的解决方案。无论是在消费电子、工业设备还是高频通信领域,AP5N10S 都能发挥出其独特的优势,助力用户实现高效、可靠的设计。