AP5N10S 产品实物图片
AP5N10S 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AP5N10S

商品编码: BM0224106968
品牌 : 
ALLPOWER(铨力)
封装 : 
SOT-23-3L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 5W 100V 5A 1个N沟道 SOT-23-3L
库存 :
6017(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.283
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.283
--
200+
¥0.182
--
1500+
¥0.158
--
3000+
¥0.14
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AP5N10S参数

功率(Pd)5W反向传输电容(Crss@Vds)14pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)115mΩ@10V,3A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)4.5nC
漏源电压(Vdss)100V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)210pF连续漏极电流(Id)5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@250uA

AP5N10S手册

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AP5N10S概述

AP5N10S 产品概述

概述

AP5N10S 是一种高性能的 N 沟道场效应晶体管(MOSFET),其主要特点是能够支持最高 100V 的工作电压和 5A 的最大放大电流。该元件采用 SOT-23-3L 封装,体积小巧,适合于多种电子设备和电路中广泛的应用。ALLPOWER(铨力)作为该元件的制造商,以其优秀的可靠性和卓越的性能在业界享有盛誉。

主要特点

  1. N 沟道设计:N 沟道 MOSFET 采用了 N 型半导体材料,在得到正向电压后,能够有效地导通电流。相较于 P 沟道 MOSFET,N 沟道具有更低的导通电阻和更好的开关性能,尤其适合高功率和高频率的应用场景。

  2. 额定电压与电流:AP5N10S 的额定电压可达到 100V,最大持续电流为 5A。这使得该 MOSFET 能够应对诸如升压转换器、功率放大器和其他高电压驱动电路等高电压复杂应用。

  3. SOT-23-3L 封装:该封装尺寸小、占板空间少,使得 AP5N10S 特别适合于小型化电子设备。这种封装的散热性能良好,有利于延长元件的使用寿命,并提高电路的整体性能。

  4. 低导通阻抗:AP5N10S 具有较低的 R_DS(on) 值,这意味着在工作时能显著降低能量损耗,提高效率。这对于高效能紧凑型电源设计尤为重要,可以有效降低发热,提高系统的可靠性。

性能参数

  • 额定电压 (V_DS): 100 V
  • 最大漏极电流 (I_D): 5 A
  • 导通电阻 (R_DS(on)): 由于制造工艺的优化,AP5N10S 的 R_DS(on) 低于同类产品,保证了更高的电流通过能力。
  • 工作温度范围: 通常可以在 -55°C 到 +150°C 的环境温度下运行,适应多种严苛的工作条件。

应用领域

AP5N10S N 沟道 MOSFET 在各个电力电子应用中非常多见,包括但不限于:

  • 开关电源:在开关电源电路中,AP5N10S 可用作主开关组件,有效控制电能的转换和分配。
  • 电机驱动:在电动机驱动电路中,MOSFET 的快速开关特性可提升电机的效率和性能。
  • 调光照明:用于高效调光控制,以满足智能照明系统的需求。
  • LED 驱动:在 LED 驱动电源中,AP5N10S 可作为高效开关,以达到最佳的光效和能耗比。

结论

AP5N10S 是一款设计精良且性能优越的 N 沟道 MOSFET,适合于多种现代电子应用。凭借其高漏极电压、显著的导通性能以及紧凑的 SOT-23-3L 封装,AP5N10S 不仅满足了电子设备对能效和尺寸的苛刻要求,更为广大工程师在新产品开发时提供了可靠的解决方案。无论是在消费电子、工业设备还是高频通信领域,AP5N10S 都能发挥出其独特的优势,助力用户实现高效、可靠的设计。