功率(Pd) | 1W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@4.5V,3.6A | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 600pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 3.3A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
FSS2302M是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),其最大功率可达1W,额定电压为20V,最大连续电流为3.3A。该器件采用SOT-23封装,适合各种电子应用,尤其是在空间受限的场合。FSS2302M由FOSAN(富信)品牌制造,具有优良的电气特性和可靠性,适合用于开关电源、马达驱动、负载开关等多个领域。
FSS2302M广泛应用于:
FSS2302M具有良好的性能优势,这使其在众多电子应用中脱颖而出:
在设计使用FSS2302M的电路时,有几个关键因素需要考虑:
FSS2302M是一款优秀的N沟道MOSFET,凭借其良好的电气性能和小型封装,适用于广泛的应用。无论是在开关电源、马达驱动还是负载控制方面,该器件都表现优异。使用FSS2302M的设计师可以在效率、可靠性和空间利用率之间找到最佳平衡,满足现代电子产品对高效能与小型化的需求。当需要选择一款性能与尺寸兼顾的MOSFET时,FSS2302M无疑是一个值得考虑的优质选择。