功率(Pd) | 1.2W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 80pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 70mΩ@2.5V,3.1A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 300pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 2.1A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 950mV@50uA |
一、简介: SI2302S是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由知名品牌FOSAN(富信)生产。该器件具有20V的额定电压和2.5A的连续静态电流,适用于多种电子产品和电源管理系统。其超小的SOT-23封装使得SI2302S成为便携式设备及空间受限应用的理想选择。
二、主要特性:
电压和电流参数:
封装设计:
开关性能:
温度范围:
三、应用领域: SI2302S由于其优越的性能,广泛应用于众多电子设备和系统中,包括:
四、应用电路示例: 用户可以将SI2302S用于直流电压调节模块或直流电机驱动电路。通过调整栅极电压,可以有效控制其开关状态,实现高效的电源管理。
**DC-DC转换器:**在Buck或Boost转换器的开关环路中,SI2302S作为低侧开关,通过PWM信号控制栅极电压,实现高效能量转换。
**单端LED驱动电路:**利用SI2302S的低导通电阻,确保LED驱动电流的稳定性和一致性,提高系统的整体可靠性。
五、结论: SI2302S N沟道MOSFET是一款性能卓越、封装紧凑的电源管理解决方案,充分适应现代电子产品对高效率、小尺寸的要求。凭借其广泛的应用领域和可靠的性能,SI2302S为设计工程师提供了优质的选择,极大地方便了电子产品的开发与优化。
在选择MOSFET时,工程师应根据具体的应用需求,考虑额定电压、电流、导通电阻以及开关速度等参数,确保所选元器件能够达到设计目标并保证系统的安全稳定运行。SI2302S凭借其优异的技术规格,依然是当前市场上不可或缺的电子元件之一。