SI2302S 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SI2302S

商品编码: BM0223256339
品牌 : 
FOSAN(富信)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 20V 2.5A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.236
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.236
--
200+
¥0.03465
--
1500+
¥0.03432
--
3000+
¥0.034
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2302S参数

功率(Pd)1.2W反向传输电容(Crss@Vds)80pF@10V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)70mΩ@2.5V,3.1A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)300pF@10V连续漏极电流(Id)2.1A
阈值电压(Vgs(th)@Id)950mV@50uA

SI2302S手册

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无数据

SI2302S概述

产品概述:SI2302S N沟道MOSFET (20V, 2.5A, SOT-23封装)

一、简介: SI2302S是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由知名品牌FOSAN(富信)生产。该器件具有20V的额定电压和2.5A的连续静态电流,适用于多种电子产品和电源管理系统。其超小的SOT-23封装使得SI2302S成为便携式设备及空间受限应用的理想选择。

二、主要特性:

  1. 电压和电流参数:

    • 额定漏极-源极电压(V_DS):20V
    • 额定漏极电流(I_D):2.5A
    • 低导通电阻(R_DS(on)):在适当栅极电压下,设备能够实现低至30mΩ的导通电阻,从而降低功耗和热量产生。
  2. 封装设计:

    • 封装类型:SOT-23
    • 尺寸小巧,便于实现高密度PCB布局,同时支持自动贴片组装,提高生产效率。
  3. 开关性能:

    • 具备快速的开关特性,适合高频开关应用,如DC-DC转换器、无刷电机驱动和功率管理等。
  4. 温度范围:

    • 工作温度范围广,能够在-55°C到+150°C的环境下稳定运行,适应各种苛刻条件。

三、应用领域: SI2302S由于其优越的性能,广泛应用于众多电子设备和系统中,包括:

  1. **开关电源(SMPS):**通过用作开关元件,提升电源转换效率,降低能耗。
  2. **LED驱动:**作为LED驱动电路的开关元件,能够实现高效的频率调制和亮度调节。
  3. **电机驱动:**在无刷直流电动机和步进电机驱动中,SI2302S能够提供高效的开关性能。
  4. **电池管理系统(BMS):**在电源路径中进行高效的电流控制,提升电池充放电效率。

四、应用电路示例: 用户可以将SI2302S用于直流电压调节模块或直流电机驱动电路。通过调整栅极电压,可以有效控制其开关状态,实现高效的电源管理。

  1. **DC-DC转换器:**在Buck或Boost转换器的开关环路中,SI2302S作为低侧开关,通过PWM信号控制栅极电压,实现高效能量转换。

  2. **单端LED驱动电路:**利用SI2302S的低导通电阻,确保LED驱动电流的稳定性和一致性,提高系统的整体可靠性。

五、结论: SI2302S N沟道MOSFET是一款性能卓越、封装紧凑的电源管理解决方案,充分适应现代电子产品对高效率、小尺寸的要求。凭借其广泛的应用领域和可靠的性能,SI2302S为设计工程师提供了优质的选择,极大地方便了电子产品的开发与优化。

在选择MOSFET时,工程师应根据具体的应用需求,考虑额定电压、电流、导通电阻以及开关速度等参数,确保所选元器件能够达到设计目标并保证系统的安全稳定运行。SI2302S凭借其优异的技术规格,依然是当前市场上不可或缺的电子元件之一。