WST4045
WST4045参数
| 功率(Pd) | 2W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 70pF@20V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 73mΩ@10V,3A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 14nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | 类型 | 1个P沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 650pF@20V | 连续漏极电流(Id) | 4.3A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
WST4045手册
WST4045概述
WST4045 产品概述
一、产品简介
WST4045 是一款高性能的 P 型场效应管（MOSFET），其最大额定功率为 2W，工作电压为 40V，最大电流为 4.3A。该产品采用 SOT-23-3L 封装，适用于各种低功耗和中等功率的电子应用。作为微硕（WINSOK）品牌的核心产品之一，WST4045 在许多应用中表现出色，能够满足现代电子设备对高效能和高可靠性的要求。
二、技术规格
- 类型: P 沟道 MOSFET
- 最大功率: 2W
- 最大工作电压 (Vds): 40V
- 最大漏极电流 (Ids): 4.3A
- 封装类型: SOT-23-3L
- 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
- 门源电压 (Vgs): ±20V
- 通道电阻 (Rds(on)): 具体数值视应用和工作条件而定
三、应用场景
WST4045 适用于多个电子产品和系统，具体应用领域包括但不限于：
电源管理: 该 MOSFET 可用于开关电源电路中的高效开关控制，帮助优化功耗，提升整体能效。
负载开关: WST4045 可作为负载开关用于控制小型电动机、LED 驱动器以及其他负载设备的开关操作。
电池管理: 在充电和放电过程中，MOSFET 可用于电池管理系统（BMS）中，实现电池的保护和优化性能。
放大应用: 由于其较低的导通电阻，WST4045 也可用于信号放大电路，以增强信号稳定性和提高增益。
通信设备: 作为 RF 开关或信号开关，该 MOSFET 可被广泛应用于诸如基站、无线设备等通信应用。
四、特性优势
高效能: 由于其 P 沟道设计和适当的电阻值，WST4045 实现了优异的导通电阻和开关特性，这使得其在低电压和高电流应用中表现出色。
小型化设计: SOT-23-3L 封装不仅确保了良好的散热性能，还方便于自动贴片技术，能够有效降低产品体积，提升布线密度。
温度稳定性: 该MOSFET支持广泛的工作温度范围，能够在严苛的环境条件下保持稳定的性能。
易于驱动: P 沟道 MOSFET 的结构使其在逻辑电平下易于驱动，相比 N 沟道 MOSFET，这种特性使得在设计电路时更加简单。
五、使用注意事项
在使用 WST4045 之前，应注意以下事项：
散热管理: 虽然该器件可以在最大额定工作条件下稳定工作，但在高功率消耗或持续高电流应用中，适当的散热设计是必要的，以防过热。
电路设计: 在设计电路时需确保电压和电流在额定范围内，以避免击穿或损坏。
反向击穿保护: 若在某些应用中可能出现反向击穿情况，应设计额外的保护电路，以延长器件使用寿命。
六、总结
WST4045 以其优异的电气性能、小巧的封装和广泛的应用范围，成为了现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是在电源管理、负载开关还是信号放大等场景中，WST4045 都展现出了良好的性能，为设计师提供了可靠的解决方案。选择 WST4045 等级的 P 沟道 MOSFET，将为您的产品设计带来全新的可能性与优势。