功率(Pd) | 1W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 52mΩ@10V,3A | 漏源电压(Vdss) | 30V |
类型 | 1个P沟道 | 连续漏极电流(Id) | 5.8A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
WST3407是一款由WINSOK(微硕)公司推出的P沟道场效应管(MOSFET),其主要特点为低功耗、高效率,并具备出色的控制性能。该器件采用SOT-23-3L封装,适合多种空间受限的应用场景,如智能手机、平板电脑、便携式设备等,能够有效满足设计工程师对元器件小型化和高效能的需求。
额定功率和电压:WST3407能够承受最高30V的漏极电压,适合需要高电压操作的电路。同时,其最大漏极电流可达5.8A,具有良好的负载承受能力,适用于高负载的开关控制应用。
封装类型:采用SOT-23-3L封装结构,这种封装形式的特点是体积小巧,适合表面安装(SMD),便于自动化生产,降低组装成本。
开关特性:WST3407具有低导通电阻,能够有效降低功耗和发热量,从而提高设备的效率。在开关操作时,其快速的开关时间使得其在频繁切换的应用中表现优异。
工作温度范围:该MOSFET的工作温度范围广泛,适应环境变化,保证其在高温或低温环境下的稳定工作。
WST3407的设计使其具备广泛的应用能力,包括但不限于以下几种应用场景:
开关电源:在交流-直流转换器或直流-直流转换器中,可以作为高侧或低侧开关使用,提供高效能和稳定性。
电池管理系统:在电池充放电过程中,WST3407可用于智能识别电池状态,提供过流保护和电池切断功能。
LED驱动器:适合用于LED照明设备中,能够有效控制LED的亮度和延长使用寿命。
电动机驱动:适用于直流电动机的控制,能够实现精细的速度调节和负载控制,提升电动机的工作效率。
WST3407作为一款P沟道MOSFET,具有以下竞争优势:
高效能:与传统的BJT(双极型晶体管)相比,MOSFET具有更低的导通损耗和更高的开关频率,能够显著提高电源转换效率。
热稳定性:出色的热管理性能,能够在高温条件下正常运行,减少因过热引起的失效风险。
易于集成:SOT-23-3L封装占用的PCB面积小,方便在紧凑的电路设计中实现高密度布局,使得WST3407适合现代小型化设备的需求。
WST3407 是WINSOK推出的一款高性能P沟道MOSFET,凭借其卓越的技术参数、出色的可靠性和广泛的应用场景,成为现代电子设备中不可或缺的核心元器件之一。它适用于多种应用场合,如开关电源、电池管理和LED驱动等,是设计工程师在进行产品开发时的理想选择。随着电子产品对高效能和小型化要求的提升,WST3407将持续为先进的电子设计带来发展可能,助力创造更多出色的应用。