HY19P03D 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

HY19P03D

商品编码: BM0223220229
品牌 : 
HUAYI(华羿微)
封装 : 
TO-252-2L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 50W 30V 90A 1个P沟道 TO-252-2
库存 :
1(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.785
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.785
--
100+
¥0.782
--
1250+
¥0.781
--
2500+
¥0.78
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

HY19P03D参数

功率(Pd)50W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6mΩ@10V,45A漏源电压(Vdss)30V
类型1个P沟道连续漏极电流(Id)90A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA

HY19P03D手册

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HY19P03D概述

HY19P03D 产品概述

产品名称: HY19P03D
类型: P沟道 MOSFET
额定功率: 50W
额定电压: 30V
额定电流: 90A
封装类型: TO-252-2L
品牌: HUAYI(华羿微)

1. 产品背景

HUA YI(华羿微)作为电子元器件领域的重要制造商,致力于提供高性能的半导体解决方案。HY19P03D是一款专为高功率应用设计的P沟道场效应管(MOSFET),其特点是高电流承载能力和较低的导通电阻,适合用于电源管理、开关电源、马达驱动和负载开关等广泛应用。

2. 技术规格

HY19P03D的关键技术规格如下:

  • 功率: 该MOSFET的最大功率评级为50W,适合用于中高功率应用,可以有效处理大电流状态下的热量管理。
  • 电压: 其最大工作电压为30V,能够满足大多数低压应用的要求,确保设备的安全和稳定性。
  • 电流: 本产品的最大漏电流为90A,能够支持高负载电流的工作,提供良好的电流开关能力。
  • 封装: TO-252-2L封装设计使得该MOSFET具备良好的散热性能和多层印刷板(PCB)PCB焊接能力,适合各种电路设计。

3. 性能特点

HY19P03D的设计集成了多种优良特性:

  • 低导通电阻: 这款MOSFET具有较低的RDS(on)值,在导通状态下能有效减少功率损耗,提高电路的能效比。
  • 快速开关速度: 快速的开关特性使得HY19P03D在开关应用中表现卓越,能够在高频率下快速响应,从而提高电源转换效率。
  • 耐高温能力: 其耐高温特性使其能够在较为严苛的环境中长期工作而不易发生故障,这对于高温状态下工作的电子产品尤为重要。

4. 应用场景

HY19P03D广泛应用于以下几个领域:

  • 电源管理: 由于其高电流与低电阻的特点,非常适合用于电压稳压器、电源保护电路,以及SMPS(开关电源)等应用中。
  • 马达驱动: 在各类电动机驱动电路中,比如DC马达控制以及步进电动机驱动,HY19P03D能够提供强大的电源支持。
  • 负载开关: 作为高效的开关元件,在负载连接和断开中,实现快速而稳定的电子控制,能够保障设备的正常工作与安全性。

5. 设计优势

  • 简化设计: 由于其出色的电气性能,设计师在电路设计中可以减少对被动元件的使用,简化电路设计,节省PCB空间。
  • 增强的热管理: TO-252-2L封装设计不仅提供了优良的电气连接,还提升了热散发能力,使设备在高负载工作时保持稳定的工作状态。

6. 结论

HY19P03D P沟道MOSFET是为追求高性能和高可靠性设计的理想选择,适合多种中高功率应用。无论是电源管理、马达驱动还是负载开关,HY19P03D都可以提供卓越的性能和稳定性,是电子设计师在选择元件时值得信赖的选项。结合其先进的技术规格和出色的应用性能,HY19P03D无疑将成为电子产品设计中不可或缺的重要元器件。