功率(Pd) | 50W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@10V,45A | 漏源电压(Vdss) | 30V |
类型 | 1个P沟道 | 连续漏极电流(Id) | 90A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
产品名称: HY19P03D
类型: P沟道 MOSFET
额定功率: 50W
额定电压: 30V
额定电流: 90A
封装类型: TO-252-2L
品牌: HUAYI(华羿微)
HUA YI(华羿微)作为电子元器件领域的重要制造商,致力于提供高性能的半导体解决方案。HY19P03D是一款专为高功率应用设计的P沟道场效应管(MOSFET),其特点是高电流承载能力和较低的导通电阻,适合用于电源管理、开关电源、马达驱动和负载开关等广泛应用。
HY19P03D的关键技术规格如下:
HY19P03D的设计集成了多种优良特性:
HY19P03D广泛应用于以下几个领域:
HY19P03D P沟道MOSFET是为追求高性能和高可靠性设计的理想选择,适合多种中高功率应用。无论是电源管理、马达驱动还是负载开关,HY19P03D都可以提供卓越的性能和稳定性,是电子设计师在选择元件时值得信赖的选项。结合其先进的技术规格和出色的应用性能,HY19P03D无疑将成为电子产品设计中不可或缺的重要元器件。