2N7002HR

2N7002HR 产品概述

一、基本信息

产品名称: 2N7002HR
品牌: Nexperia (安世)
类型: N-channel Trench MOSFET
封装类型: SOT-23
最大漏源电压: 60 V
最大漏极电流: 200 mA
最大功耗: 300 mW

二、产品特性

2N7002HR 是一款高性能的 N-channel Trench MOSFET，专门设计用于低电压和低功耗的电子设备。这款 MOSFET 拥有优秀的开关特性和优良的导通性能，使其在各种应用中表现出色。

1. 高耐压能力: 最大的漏源电压为 60 V，使得 2N7002HR 非常适合在中等电压的应用中使用。

2. 低导通电阻: 该 MOSFET 的 RDS(on) 非常低，通常在 milli-ohms 级别，这意味着它在导通时能够有效减少热量的产生，提高系统的能效。

3. 快速开关特性: 由于其 Trench 结构，2N7002HR 具有较高的开关速度，可以在高频应用中减少开关损耗，提高电路的响应速度。

4. 耐高温性能: 该器件设计可以在较宽的温度范围内工作，确保其在各种环境条件下的可靠性和稳定性。

三、应用场景

2N7002HR 的小型封装和高性能特性使其广泛应用于多个领域，以下是一些常见的应用场景：

1. 开关电路: 2N7002HR 可用作开关元件，用于控制电源的启停以及信号的开关，从而实现电路的智能控制。

2. 驱动电路: 可以用作各种负载的驱动器，例如继电器、LED、马达和其他电气设备，为其提供逻辑电平控制。

3. 电源管理: 由于其低功耗特性，2N7002HR 适合用于 DC-DC 转换器和电源管理系统中，帮助优化功耗并延长设备的使用寿命。

4. 射频及高频应用: 在高频应用中，2N7002HR 的快速开关能力使其非常适合用于射频开关、调谐电路等场合，让信号处理更为高效。

四、技术参数

• 漏源电压 VDS: 60 V
• 最大漏极电流 ID: 200 mA
• 门源电压 VGS: ±20 V
• 最大功耗 PD: 300 mW
• 导通电阻 RDS(on): < 1.5 Ω (Spes. at VGS = 10 V)
• 开关时间: 开关时间迅速，提供良好的动态特性。

五、结论

2N7002HR 是一款性能优越、用途广泛的 N-channel MOSFET 元器件。它以其卓越的电气特性、封装规格和广泛的应用场景，成为现代电子设计中不可或缺的组件之一。无论是在消费类电子产品、工业设备还是在高频应用中，2N7002HR 都能满足工程师对性能和效率的高需求。通过采用这种 MOSFET，设计者可以实现更可靠、更经济高效的电源解决方案。

对于需要高效和低损耗的小型电路设计，2N7002HR 是一个值得信赖的选择。随着市场对高效能、小型化电子产品的需求增加，采用这样的先进器件无疑将推动技术的持续创新与进步。