IRFH7084TRPBF
IRFH7084TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.25 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 150µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 190nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6560pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 156W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
IRFH7084TRPBF手册
IRFH7084TRPBF概述
IRFH7084TRPBF 产品概述
概述
IRFH7084TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，属于 Infineon（英飞凌）品牌的产品系列。该器件旨在满足现代电源管理和高电流应用的需求，具有极低的导通电阻和优越的热管理能力。其出色的电气性能使其适合用于各种应用，包括但不限于 DC-DC 转换器、电机驱动器、开关电源和逆变器等。
主要参数
漏源电压（Vdss）: 该器件的额定漏源电压为 40V，使其能够处理多种电压水平的应用，在保护电路设计中提供良好的灵活性。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的温度下，IRFH7084TRPBF 可以实现高达 100A 的连续漏极电流，适合高电流的应用场景。其优秀的散热性能支持在高负载条件下的稳定运行。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 驱动电压时，当漏极电流为 100A 时，导通电阻最大仅为 1.25 毫欧，这一低阻值确保了在高电流下的低功耗和低电热损耗，进而提高了系统的能效。
栅极驱动电压（Vgs）: 该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，使其能够与多种驱动电路兼容。此外，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为 3.9V（在 150µA 条件下），开启电流所需的驱动电压较低，有助于降低系统控制的复杂性。
输入电容（Ciss）: 在 25V 条件下，输入电容的最大值为 6560pF，能够适应快速开关的要求，确保在高频操作时的有效驱动能力。
功率耗散: 最大功率耗散能力为 156W，这使得该 MOSFET 能够在高负载情况下有效散热，延长其使用寿命，同时降低系统风险。
工作环境
IRFH7084TRPBF 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C（TJ），这一宽广的工作温度范围使得该器件适用于各种苛刻环境，保证了在极端温度条件下的可靠性能。
封装与安装
该 MOSFET 采用 8-PQFN（5x6）表面贴装封装，便于自动化焊接和集成到现代电路板中。其紧凑的封装设计不仅有效降低了电路板的面积，还提高了散热效率，适合高密度的电子设计。
应用场景
IRFH7084TRPBF 的设计目标是满足当今对高效、高电流传输的积极需求，广泛应用于：
- DC-DC 转换器，包括用于笔记本电脑和服务器的电源管理。
- 电机驱动器，用于工业自动化和电动汽车应用。
- 开关电源和逆变器，满足可再生能源和电力电子设备的需求。
总结
凭借其优越的电气特性和宽广的工作环境，IRFH7084TRPBF MOSFET 是高性能电源管理和高电流应用的理想选择。其低导通电阻和高功率耗散能力确保了设备在高负载条件下的稳定工作，适合当今高效能、紧凑型电子产品的需求。通过将这款 MOSFET 集成到设计中，工程师们能够实现更高的能效和系统可靠性，为最终用户提供更出色的产品体验。