注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRFP90N20DPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-247AC
包装 :
管装
重量 :
8.2g
描述 :
场效应管(MOSFET) 580W 200V 94A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
10(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
12.46按整 :
管(1管有400个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥12.46
--
10+
￥10.08
--
400+
￥9.89
--
4000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFP90N20DPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 94A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 56A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 270nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6040pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 580W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP90N20DPBF手册
无数据
IRFP90N20DPBF概述
产品概述：IRFP90N20DPBF N沟道MOSFET
一、基本信息
IRFP90N20DPBF是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其具备在苛刻环境下运行的卓越能力。该器件的最大漏源电压（Vdss）为200V，能够承受高达94A的连续漏极电流（Id），标志着其在电力电子应用中的强大驱动能力。
二、技术参数
漏源电压（Vdss）: 200V
- IRFP90N20DPBF可以在高压环境中稳定工作，适用于电源开关、变换器等应用。
连续漏极电流（Id）: 94A（Tc=25°C）
- 该器件能提供优异的导电性能，即使在高电流条件下，也能保持低的工作温度。这使得它在电动汽车、工业驱动器和其他需要高电流的应用中脱颖而出。
导通电阻（Rds On）: 23毫欧 @ 56A, 10V
- 低导通电阻保证了设备高效率，降低功耗和热损耗，非常适合用于高效能的转换电路。
阈值电压（Vgs(th)）: 最大值5V @ 250µA
- 此特性使其能够在较低的栅极驱动电压下正常工作，简化了电路设计。
栅极电荷（Qg）: 最大值270nC @ 10V
- 较低的栅极电荷有助于提高开关速度，降低开关损耗，从而提升整体效能，适合高频应用。
输入电容（Ciss）: 最大值6040pF @ 25V
- 该高输入电容特性使得该MOSFET在开关频率较高的应用中表现稳定，保证了快速的开关响应。
功率耗散（最大值）: 580W（Tc）
- 在高功率应用中，该器件能有效管理热量，确保系统的稳定性和可靠性。
工作温度范围: -55°C ~ 175°C（TJ）
- 其宽广的工作温度范围使得IRFP90N20DPBF非常适合各种严苛环境下的工作需求，包括航空航天、汽车和工业领域。
三、封装与安装
IRFP90N20DPBF采用TO-247AC封装设计，具有良好的散热性能和较大的安装面积，支持通孔焊接，有效提升散热效率，适用于PCB布局优化和高功率应用设计。
四、典型应用
IRFP90N20DPBF N沟道MOSFET广泛应用于以下领域：
- 开关电源：其高效特性和可靠性使其成为DC-DC转换器及AC-DC适配器的理想选择。
- 电动汽车：可在电动汽车的驱动控制和功率管理系统中应用，提供动力模块的高达94A电流支持。
- 工业自动化：在电机驱动、伺服驱动及其他工业设备中提供稳定的高电流和低导通损耗。
- 太阳能逆变器：在逆变器应用中实现高效的能量转换，推动可再生能源利用。
五、总结
作为一款高级N沟道MOSFET，IRFP90N20DPBF结合了卓越的电气特性、出色的热管理能力和广泛的应用范围，是电源管理、工业控制和高功率应用中的重要元件。其高效、可靠和经济的性能使其成为电子设计师的优秀选择，适应未来电子技术的发展需求。选择IRFP90N20DPBF，您将体验到高性能MOSFET带来的便利与优势，确保您的设计在性能和稳定性上的最佳表现。