SI3400A-TP
SI3400A-TP参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A | Vgs（最大值） | ±12V |
| FET 类型 | N 通道 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1.155nF @ 15V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
SI3400A-TP手册
SI3400A-TP概述
产品概述：SI3400A-TP N通道 MOSFET
一、概述
SI3400A-TP 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为需要低导通电阻和高开关频率的应用而设计，适用于各种电子设备，包括电源管理、负载开关、以及高频率开关电路等。该器件由知名品牌 MCC（美微科）生产，封装采用紧凑的 SOT-23 形式，具有良好的热性能和电气性能，非常符合现代电子产品对高集成度和小体积的要求。
二、主要参数
安装类型：表面贴装型，适合自动化生产线随着科技的进步，表面贴装技术(SMT)已成为电子组件安装的主流，为现代电路板的设计提供了更多灵活性。
技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），其具备快速开关能力和高输入阻抗，适合用于快速开关应用中，进而提高电路的整体效率。
漏极电流 (Id)：该器件在 25°C 时的连续漏极电流为 5.8A，使其在中等负载情况下表现出色。
最大栅源电压 (Vgs)：±12V 的范围为电路设计提供了很大的灵活性，允许设计师在不同类型的控制信号下工作。
导通电阻 (Rds(on))：在 5.8A 和 10V 时，导通电阻最大为 32 毫欧，降低了能量损耗，改善了设备的工作效率，特别是在高频或高负载环境下。
漏源电压 (Vdss)：最高可承受 30V 的漏源电压，能够满足大多数低压电源供电电路的需求。
功率耗散：最大功率耗散为 400mW，使其能够在相对小的功率范围内运行，减少了热生成的需注意情况。
工作温度范围：从 -55°C 到 150°C 的宽广工作温度范围，使其能够在极端环境下可靠工作，适合汽车、工业等领域的应用。
输入电容 (Ciss)：最大输入电容为 1.155nF @ 15V，保持较低的输入电容提高了开关速度，适合高频应用。
Vgs(th)：在不同的 Id 时，阈值栅源电压（Vgs(th)最大值）为 1.4V @ 250µA，这为电路驱动提供了良好的起始开关特性。
三、应用场景
SI3400A-TP MOSFET 的特色参数使其在以下领域具有广泛的应用潜力：
电池管理系统：能够在电池充电和放电过程中，提供高效能的开关控制，最大限度地延长电池的使用寿命。
电源供应器：在开关电源中用作主开关元件，提高了整体转换效率，并减少了热损耗。
电机驱动：在电机控制电路中可以作为负载开关，提供快速的开关响应，从而有效控制电机的启停。
消费电子：可应用于各种消费电子设备，如手机、平板、电脑等，提升设备的性能和耐用性。
汽车电子：适合汽车中各种电子控制单元(ECU)，在电流较大的条件下仍能保持优良性能。
四、总结
SI3400A-TP N 通道 MOSFET 结合了超低导通电阻、宽广的工作温度范围和高效的电流控制能力，是满足现代电子设备对于高性能组件需求的重要选择。作为一款紧凑型表面贴装器件，它在电源管理和开关控制应用中表现出色，能够帮助设计师实现更高的电路效率和更小的外形尺寸，是现代电子设计的理想产品之一。