NCE0117 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE0117

商品编码: BM0222815237
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
TO-220
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 55W 100V 17A 1个N沟道 TO-220
库存 :
8(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
1.75
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.75
--
50+
¥1.34
--
1000+
¥1.12
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE0117参数

功率(Pd)55W反向传输电容(Crss@Vds)180pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)70mΩ@10V
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@50V
漏源电压(Vdss)100V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.35nF@25V连续漏极电流(Id)17A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA

NCE0117手册

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NCE0117概述

NCE0117 产品概述

1. 产品简介

NCE0117 是一款高效能的 N 沟道场效应管 (MOSFET),其设计涵盖了宽广的应用领域,适用于电源管理、开关电源、马达控制及高频逆变器等场合。作为一款 TO-220 封装的 MOSFET,NCE0117 提供了高达 55W 的功率处理能力,能够承受高达 100V 的工作电压,并且在持续工作时提供高达 17A 的电流负载能力,确保设备在高性能与可靠性方面的优越表现。

2. 结构和工作原理

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种场效应管,以其优异的电气性能和高输入阻抗特点广泛应用于现代电子设备。NCE0117 作为 N 沟道 MOSFET,内部结构包括源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)。其工作原理是通过施加在栅极的电压来控制源极和漏极之间的电流。相较于传统的双极型晶体管,NCE0117 在开关特性和响应速度上尤为突出,适合用于高频和高效的开关应用。

3. 电气特性

  • 额定功率:NCE0117 的额定功率为 55W,适合在大功率的应用环境中稳定工作。
  • 漏极-源极击穿电压 (V_DS):最大值为 100V,确保其能在高电压应用中安全可靠运行。
  • 连续漏极电流 (I_D):最大允许电流为 17A,满足高负载的电流需求。
  • 栅极电压 (V_GS):推荐使用的栅源电压范围,使得控制效率更高。
  • 开关特性:快速开关速度和低导通电阻(R_DS(on))值得称道,有助于减少功耗,并提高系统的整体效率。

4. 应用领域

NCE0117 的多种特性使其适用于广泛的应用领域:

  • 开关电源(SMPS):在转换器设计中,NCE0117 的高效能能够显著提升整体转换效率,降低热量产生。
  • 马达驱动器:利用其高电流能力和快速响应特点,适用于电动机控制系统,特别是在电动工具、家电和自动化设备中。
  • 逆变器系统:在太阳能逆变器及其他可再生能源系统中,NCE0117 被广泛应用于功率转换和控制。
  • 电池管理系统:在电池充电和管理中使用,可以优化存储单元的性能与安全性。
  • 家电产品:如冰箱、洗衣机等家电的智能控制和驱动电路中,它能提供稳定和强劲的电流支持。

5. 封装与散热

NCE0117 采用 TO-220 封装,具有良好的散热特性。通过较大的金属散热片与 PCB(印刷电路板)结合,能够有效减少工作温度,从而使器件在长时间高负载条件下依然保持可靠性。同时,该封装也方便了生产和组装,有助于实现高密度电路设计。

6. 性能优势

  • 高效率:低 R_DS(on) 和快速开关特性使 NCE0117 在工作时耗电量小,在节能型设计中表现优异。
  • 高频性能:优秀的开关速度使其适合高频开关应用,能够降低 EMI(电磁干扰)问题。
  • 可靠性与耐用性:高达 100V 的耐压能力和 17A 的高电流容忍度,使得该元器件在苛刻的电气环境下依然表现出色。

结论

NCE0117 是一款多功能的 N 沟道 MOSFET,凭借其优异的电气特性和广泛的应用范围,具备了成为高性能电子设备中不可或缺的核心元器件的潜力。其在业内的认可度不断提升,并凭借高效率、可靠性和卓越的性能,满足了市场对现代化电子设计日益增长的需求。