功率(Pd) | 55W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 180pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 70mΩ@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@50V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.35nF@25V | 连续漏极电流(Id) | 17A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
NCE0117 是一款高效能的 N 沟道场效应管 (MOSFET),其设计涵盖了宽广的应用领域,适用于电源管理、开关电源、马达控制及高频逆变器等场合。作为一款 TO-220 封装的 MOSFET,NCE0117 提供了高达 55W 的功率处理能力,能够承受高达 100V 的工作电压,并且在持续工作时提供高达 17A 的电流负载能力,确保设备在高性能与可靠性方面的优越表现。
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种场效应管,以其优异的电气性能和高输入阻抗特点广泛应用于现代电子设备。NCE0117 作为 N 沟道 MOSFET,内部结构包括源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)。其工作原理是通过施加在栅极的电压来控制源极和漏极之间的电流。相较于传统的双极型晶体管,NCE0117 在开关特性和响应速度上尤为突出,适合用于高频和高效的开关应用。
NCE0117 的多种特性使其适用于广泛的应用领域:
NCE0117 采用 TO-220 封装,具有良好的散热特性。通过较大的金属散热片与 PCB(印刷电路板)结合,能够有效减少工作温度,从而使器件在长时间高负载条件下依然保持可靠性。同时,该封装也方便了生产和组装,有助于实现高密度电路设计。
NCE0117 是一款多功能的 N 沟道 MOSFET,凭借其优异的电气特性和广泛的应用范围,具备了成为高性能电子设备中不可或缺的核心元器件的潜力。其在业内的认可度不断提升,并凭借高效率、可靠性和卓越的性能,满足了市场对现代化电子设计日益增长的需求。