MT40A1G16KD-062E IT:E 是一种动态随机存取存储器(DRAM),由知名的半导体制造商镁光(Micron)生产。该器件属于DDR4(双数据率第四代)系列,具有16Gbit(千兆比特)的存储容量,每个内存芯片的结构为1Gx16位。其封装形式为FBGA(翻球式球栅阵列),具体为FBGA-96,适合于各种高性能计算需求。
存储容量与结构:本产品提供16Gbit的存储容量,采用1Gx16的架构,在32个存储单元中配置了16位的数据位宽。这种设计使得在数据存储和读取时能够实现高效和快速的操作。
高频率性能:DDR4内存采用了双倍数据速率技术,相比于前一代DDR3,DDR4提供更高的带宽与更低的功耗。这使得MT40A1G16KD-062E IT:E特别适用于对带宽要求较高的应用场景,如服务器、高性能计算、网络设备及高端游戏。
封装与安装方式:FBGA-96封装形式是此款芯片的一大亮点。FBGA用于减少线路空间、降低供电电压和功耗,友好的物理特性使得其适合于各种小型化设计,并得益于良好的散热性和电气性能。
功耗优化:DDR4技术在设计时就考虑到了能源效率,MT40A1G16KD-062E IT:E在运作时显著降低了功耗,满足了现代计算应用对资源的高效利用要求。其工作电压为1.2V,相比于DDR3的1.5V,其提升了电源有效性,并减少了设备的散热需求。
可靠性与耐用性:镁光的生产工艺确保了内存的高可靠性。MT40A1G16KD-062E IT:E经过严格的测试,能够在多种环境下稳定工作,适合长时间的高负荷使用。
MT40A1G16KD-062E IT:E适用于多种复杂的应用领域,如:
MT40A1G16KD-062E IT:E作为一款卓越的DDR4动态随机存取存储器,凭借其高性能、低功耗和可靠性,适合广泛的应用程序。从高性能计算到日常消费者电子设备,它都能有效地满足信息处理需求。随着技术的发展和应用领域的不断拓展,产品的市场前景非常可观,预计在未来会有更为广泛的应用。作为业界领先的内存解决方案之一,MT40A1G16KD-062E IT:E将继续为现代计算技术的发展提供强有力的支持。