MT40A1G8SA-075:E
MT40A1G8SA-075:E参数
| 存储器类型 | 易失 | 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM - DDR4 | 存储容量 | 8Gb （1G x 8） |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 1.33GHz |
| 电压 - 供电 | 1.14V ~ 1.26V | 工作温度 | 0°C ~ 95°C（TC） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 78-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 78-FBGA（7.5x11） |
MT40A1G8SA-075:E手册
MT40A1G8SA-075:E概述
MT40A1G8SA-075:E 产品概述
一、概述
MT40A1G8SA-075:E是由著名电子元器件制造商镁光（Micron）生产的一款高性能DDR4 SDRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器的设计旨在提供卓越的带宽和存储能力，以满足现代计算设备和系统的要求。作为一种易失性存储器，MT40A1G8SA-075:E主要用于计算机、笔记本电脑、服务器和各种嵌入式系统中。
二、产品规格
MT40A1G8SA-075:E采用78-Pin FBGA（薄型球栅阵列）封装，尺寸为7.5mm x 11mm，具有出色的空间利用效率和散热性能。该存储器的工作电压范围为1.14V至1.26V，标称工作电压为1.2V，显著降低了功耗。其时钟频率达到1.33GHz，为数据传输提供了快速的带宽，满足各类高性能应用的需求。
该产品的存储容量为8Gb（即1G x 8），采用DRAM的基本架构，能够有效处理大容量数据。由于其易失性特征，MT40A1G8SA-075:E在断电情况下将会失去存储的数据，因此在需要数据持久性的应用中需要配合非易失性存储器使用。
三、性能特点
高带宽：MT40A1G8SA-075:E的高时钟频率和DDR4标准使其具备显著的内存带宽，有效支持高数据吞吐量的应用，如游戏、图形处理和大数据分析等。
低功耗：相比于前一代DDR3存储器，DDR4内存在功耗方面做出了优化，尤其在使用低电压下运行时，极大降低了系统整体功耗，提升了能效，这是移动设备和数据中心等领域设计时的重要考虑。
扩展性和兼容性：与DDR4协议兼容，使得MT40A1G8SA-075:E能够与现有的DDR4平台无缝集成，适应多种不同的应用场景，用户在升级设备时无需进行重大更改，降低了兼容性风险。
四、应用领域
MT40A1G8SA-075:E广泛应用于多种电子设备中，主要包括：
- 个人计算机和笔记本电脑：以提供快速的系统响应时间和流畅的多任务处理能力，增强用户体验。
- 服务器和数据中心：用于高性能计算和大数据处理，提高数据吞吐率和计算效率。
- 嵌入式系统：在智能设备、工业控制系统和自动化设备等领域中，提供必要的内存支持。
- 图形处理和游戏设备：改善图像和视频的渲染效果，以满足愈发严苛的视觉效果需求。
五、总结
整体来看，MT40A1G8SA-075:E是镁光公司推出的一款性能优越的DDR4 SDRAM存储器，凭借其高带宽、低功耗和广泛的兼容性，成为各种现代电子设备理想的内存解决方案。其在高性能计算、数据处理以及嵌入式应用中的卓越表现，展示了DRAM技术在持续发展的电子时代中的重要性和必要性。无论是在设计新产品，还是在升级现有设备时，MT40A1G8SA-075:E都能为客户提供优秀的性能支持和卓越的用户体验。