存储器类型 | 易失 | 存储器格式 | DRAM |
技术 | SDRAM - DDR | 存储容量 | 512Mb (32M x 16) |
存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 200MHz |
写周期时间 - 字,页 | 15ns | 访问时间 | 700ps |
电压 - 供电 | 2.5V ~ 2.7V | 工作温度 | 0°C ~ 70°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 66-TSSOP (szerokość 0,400", 10,16mm) |
供应商器件封装 | 66-TSOP |
MT46V32M16P-5B:J 是一款由著名存储器制造商Micron(镁光)生产的DDR SDRAM(双倍数据率同步动态随机存取存储器)芯片,具有512Mb(32M x 16)存储容量,专为需要高速存取和高带宽的应用场景设计。由于其优异的性能和可靠性,该产品广泛应用于电子设备中,尤其是计算机、服务器、网络设备以及消费电子产品。
存储容量与架构: 该DRAM芯片提供512Mb的存储容量,以32M x 16的结构方式配置,意味着芯片每次可以并行处理16位数据,这是其快速数据传输的关键因素之一。
接口与时钟频率:MT46V32M16P-5B:J采用并行存储器接口设计,支持200MHz的时钟频率,使其能够快速响应外部控制器的请求。高频率与并行接口的结合提高了系统的整体性能。
访问时间与写周期: 该芯片具有700ps的访问时间以及15ns的写周期时间,为高性能计算提供了必要的响应速度。这使得它在读写操作频繁的应用场景中表现出色。
电压与功耗: MT46V32M16P-5B:J的供电电压范围在2.5V至2.7V之间,符合DDR存储器的标准电压要求。这种设计在提供高性能的同时,也有效降低了功耗,提升了设备的能源效率。
工作温度范围: 该存储器的工作温度范围为0°C至70°C,使其在大多数常见的工作环境中均能稳定运行。这样的热适应性确保了它在各种电子设备中的广泛适用性。
封装与安装类型: MT46V32M16P-5B:J采用66-TSSOP(Thin Small Outline Package)封装,尺寸为0.400英寸(10.16mm),便于表面贴装(SMD)。这种紧凑的封装形式不仅节省了PCB布局空间,还有助于提高制造效率。
由于其高性能和多样化的特性,MT46V32M16P-5B:J广泛适用于以下几个领域:
个人计算机: 在传统PC和笔记本电脑中,作为主内存和缓存的DDR SDRAM,能够支持快速的数据访问和处理,满足高性能计算的需求。
服务器应用: 数据中心和云服务器对内存的性能要求极高,MT46V32M16P-5B:J的快速响应特性使其成为理想的选择,能够保持稳定的运行和高数据吞吐量。
嵌入式系统: 在各种嵌入式设备中,如工业控制、汽车电子、网络设备等,MT46V32M16P-5B:J提供了必要的内存解决方案,支持复杂的数据处理任务。
消费电子: 在电视、机顶盒和音频设备等消费电子产品中,其高速读写能力提升了用户体验,能够流畅地处理多种媒体内容。
MT46V32M16P-5B:J是一款出色的DDR SDRAM存储芯片,凭借其512Mb的存储容量、快速的访问时间和灵活的工作电压范围,满足了现代电子设备对内存性能的严苛要求。无论是在个人计算机、服务器还是嵌入式系统中,均能发挥重要作用。Micron作为全球知名的存储方案提供商,凭借其品牌信誉和技术实力,MT46V32M16P-5B:J已成为许多设计工程师和产品开发者的信赖选择。