MT46V32M16P-5B:J 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MT46V32M16P-5B:J

商品编码: BM0222801378
品牌 : 
micron(镁光)
封装 : 
66-TSOP
包装 : 
托盘
重量 : 
-
描述 : 
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.6V 66-Pin TSOP Tray
库存 :
17(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
20
按整 :
托盘(1托盘有1080个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥20
--
100+
¥19.8
--
540+
¥19.5
--
10800+
产品参数
产品手册
产品概述

MT46V32M16P-5B:J参数

存储器类型易失存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR存储容量512Mb (32M x 16)
存储器接口并联时钟频率200MHz
写周期时间 - 字,页15ns访问时间700ps
电压 - 供电2.5V ~ 2.7V工作温度0°C ~ 70°C(TA)
安装类型表面贴装型封装/外壳66-TSSOP (szerokość 0,400", 10,16mm)
供应商器件封装66-TSOP

MT46V32M16P-5B:J手册

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MT46V32M16P-5B:J概述

MT46V32M16P-5B:J 产品概述

概述

MT46V32M16P-5B:J 是一款由著名存储器制造商Micron(镁光)生产的DDR SDRAM(双倍数据率同步动态随机存取存储器)芯片,具有512Mb(32M x 16)存储容量,专为需要高速存取和高带宽的应用场景设计。由于其优异的性能和可靠性,该产品广泛应用于电子设备中,尤其是计算机、服务器、网络设备以及消费电子产品。

主要特点

  1. 存储容量与架构: 该DRAM芯片提供512Mb的存储容量,以32M x 16的结构方式配置,意味着芯片每次可以并行处理16位数据,这是其快速数据传输的关键因素之一。

  2. 接口与时钟频率:MT46V32M16P-5B:J采用并行存储器接口设计,支持200MHz的时钟频率,使其能够快速响应外部控制器的请求。高频率与并行接口的结合提高了系统的整体性能。

  3. 访问时间与写周期: 该芯片具有700ps的访问时间以及15ns的写周期时间,为高性能计算提供了必要的响应速度。这使得它在读写操作频繁的应用场景中表现出色。

  4. 电压与功耗: MT46V32M16P-5B:J的供电电压范围在2.5V至2.7V之间,符合DDR存储器的标准电压要求。这种设计在提供高性能的同时,也有效降低了功耗,提升了设备的能源效率。

  5. 工作温度范围: 该存储器的工作温度范围为0°C至70°C,使其在大多数常见的工作环境中均能稳定运行。这样的热适应性确保了它在各种电子设备中的广泛适用性。

  6. 封装与安装类型: MT46V32M16P-5B:J采用66-TSSOP(Thin Small Outline Package)封装,尺寸为0.400英寸(10.16mm),便于表面贴装(SMD)。这种紧凑的封装形式不仅节省了PCB布局空间,还有助于提高制造效率。

应用场景

由于其高性能和多样化的特性,MT46V32M16P-5B:J广泛适用于以下几个领域:

  1. 个人计算机: 在传统PC和笔记本电脑中,作为主内存和缓存的DDR SDRAM,能够支持快速的数据访问和处理,满足高性能计算的需求。

  2. 服务器应用: 数据中心和云服务器对内存的性能要求极高,MT46V32M16P-5B:J的快速响应特性使其成为理想的选择,能够保持稳定的运行和高数据吞吐量。

  3. 嵌入式系统: 在各种嵌入式设备中,如工业控制、汽车电子、网络设备等,MT46V32M16P-5B:J提供了必要的内存解决方案,支持复杂的数据处理任务。

  4. 消费电子: 在电视、机顶盒和音频设备等消费电子产品中,其高速读写能力提升了用户体验,能够流畅地处理多种媒体内容。

总结

MT46V32M16P-5B:J是一款出色的DDR SDRAM存储芯片,凭借其512Mb的存储容量、快速的访问时间和灵活的工作电压范围,满足了现代电子设备对内存性能的严苛要求。无论是在个人计算机、服务器还是嵌入式系统中,均能发挥重要作用。Micron作为全球知名的存储方案提供商,凭借其品牌信誉和技术实力,MT46V32M16P-5B:J已成为许多设计工程师和产品开发者的信赖选择。