存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | 闪存 |
技术 | FLASH - NOR | 存储容量 | 1Gb(128M x 8) |
存储器接口 | SPI | 时钟频率 | 166MHz |
写周期时间 - 字,页 | 8ms,2.8ms | 电压 - 供电 | 1.7V ~ 2V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 24-TBGA | 供应商器件封装 | 24-T-PBGA(6x8) |
MT25QU01GBBB8E12-0SIT 产品概述
MT25QU01GBBB8E12-0SIT 是由镁光(Micron)公司出品的一款高性能、非易失性闪存存储器,采用了先进的 NOR Flash 技术,特别设计为能够满足现代电子设备在数据存储和访问效率方面日益增长的需求。该产品支持 SPI(串行外设接口)标准,并具备多种访问模式,包括双 SPI 和四 SPI,使其特别适合需要快速启动和数据访问的应用场景,如嵌入式系统、消费电子及通信设备。
基本参数
存储器类型和格式
MT25QU01GBBB8E12-0SIT 为非易失性存储器,采用闪存作为存储媒介。这意味着即使在设备断电的情况下,存储在该器件中的数据也能够持久保存,不会丢失。NOR Flash 技术优异的随机读写能力使其在执行命令和程序存取时表现尤为出色,常用于需要频繁读写的应用程序中。
存储容量
该型号的存储容量达到 1Gb(128M x 8),这为存储大量数据提供了充足的空间,满足了许多高需求应用的要求,如固件和配置数据存放。128M x 8 的存储结构确保了高数据密度与高效访问。
时钟频率与写周期
MT25QU01GBBB8E12-0SIT 的最高时钟频率为 166MHz,具备出色的数据传输速率,确保了快速、稳定的数据读写效率。其写周期时间为字(8ms)和页(2.8ms),这样的性能配置使得该设备在执行数据写入时仍能保持高效,特别是在批量数据处理时表现优良。
电气特性
该设备的供电电压范围为 1.7V 至 2V,这使其能够在低功耗条件下运行,适合便携式或电池供电的设备。相对于传统的存储器,降低的工作电压不仅提高了能效,还减少了发热量,有利于延长设备的使用寿命。
工作环境
MT25QU01GBBB8E12-0SIT 的工作温度范围为 -40°C 至 85°C,能够适应严苛的环境条件,适合汽车电子、工业控制和医疗设备等应用。
封装与安装
该存储器采用表面贴装型 (SMD) 设计,封装规格为 24-T-PBGA(6x8),这种紧凑的封装形式不仅节省了板上空间,有助于高密度电路设计,同时也提供了良好的散热性能和电气连接性。
应用领域
MT25QU01GBBB8E12-0SIT 的广泛应用领域包括嵌入式系统、消费类电子、连接设备以及物联网 (IoT) 解决方案。由于其高读取速度和可靠性,它非常适合用于固件存储、数据缓存、配置、启动程序和系统日志等多种功能。
总结
综合以上特点,MT25QU01GBBB8E12-0SIT 作为一款高性能的 NOR Flash 存储器,结合了高容量、快速的速度和低功耗设计,是当前先进电子产品尤其是需高效率和高稳定性设备的理想选择。镁光作为技术领先的存储解决方案提供商,为用户提供了一款强大的工具,以应对不断变化的市场需求。在未来的技术发展中,该产品预计将继续发挥其关键作用,使各种应用更加高效和可靠。