安装类型 | 表面贴装型 | 技术 | FLASH - NOR |
写周期时间 - 字,页 | 50µs,2.4ms | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
存储器接口 | SPI - 四 I/O | 存储容量 | 8Mb (1M x 8) |
存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | 闪存 |
时钟频率 | 120MHz | 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
GD25Q80CTIGR 是由北京兆易创新(Gigadevice)推出的一款高性能FLASH-NOR存储器,旨在满足现代电子设备中对数据存储的多样化需求。作为一款表面贴装型的非易失性存储器,GD25Q80CTIGR 具备多项优秀的技术参数,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
存储容量与结构: GD25Q80CTIGR 拥有8Mb(1M x 8)的存储容量,适合需要中等存储需求的应用场合。其结构为NOR FLASH,具有更好的随机读性能,适合代码执行和数据存储。
接口与性能: 此款存储器采用SPI(Serial Peripheral Interface)四I/O接口,允许更高的传输速率和效率。其时钟频率高达120MHz,可以实现更快速的数据读取和写入操作。此外,写周期时间方面,逐字写入可达到50µs,逐页写入时间为2.4ms,大大提升了数据处理效能。
工作温度与电压范围: GD25Q80CTIGR 的工作温度范围为-40°C到85°C,使其在苛刻环境下也能稳定运行。设备供电电压范围为2.7V到3.6V,适应多种电源需求,给设计提供了灵活性。
封装形式: 这款产品采用8-SOP封装,方便在现代PCB的表面贴装中应用,降低了设计成本和空间占用。
GD25Q80CTIGR 以其优异的性能被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
与其他同类产品相比,GD25Q80CTIGR 具有显著的竞争优势:
总之,GD25Q80CTIGR 是一款优秀的闪存存储器,具备大容量、快速性能以及宽工作温度范围,适合多种工业和消费电子的应用需求。凭借其卓越的技术参数与多样的应用场合,GD25Q80CTIGR 将为现代电子产品的设计与开发提供强有力的支持。对于寻求高效能存储解决方案的工程师和设计师而言,该产品无疑是一个理想的选择。