CR4N65A4K
CR4N65A4K参数
| 功率(Pd) | 75W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 2.4pF |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.4Ω@10V,2A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15.8nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | 类型 | 1个N沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 564pF | 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
CR4N65A4K手册
CR4N65A4K概述
CR4N65A4K 产品概述
一、产品背景
随着电子技术的迅猛发展，功率电子器件在现代电力电子系统中扮演着至关重要的角色。场效应管（MOSFET）作为一种重要的半导体器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、照明控制以及其他高频开关电路中。CRMICRO（华润微）推出的CR4N65A4K是一款性能优越的N沟道MOSFET，具有75W的功率处理能力和650V的耐压特性，能够满足多种应用场景的需求。
二、主要规格
- 型号: CR4N65A4K
- 类型: N沟道MOSFET
- 封装: TO-252（DPAK）
- 最大功率: 75W
- 耐压: 650V
- 最大持续电流: 4A
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 导通电阻: 具体数值需参考产品手册，通常在应用中会标示在特定的栅极驱动电压下。
三、性能特征
高耐压: CR4N65A4K的650V耐压特性使得该MOSFET非常适合于高压应用，如高压变频器、开关电源和电动工具等。
低导通电阻: 该器件的低Rds(on)值可以显著减少在工作过程中的能量损耗，提高系统的整体效率。这使其在需要高效能的电源设计中表现优异。
快速开关特性: CR4N65A4K具备高效的开关速度，适用于高频开关电源（SMPS）和其他需要快速切换的应用，这使得它在减小电磁干扰和提升开关效率方面具有显著优势。
耐高温特性: 该MOSFET采用的封装和材料设计使其具备较强的热管理能力，能够在高温环境中稳定工作，适应广泛的工业应用需求。
良好的热性能: TO-252封装提供了良好的散热性能，为MOSFET在高功率应用中的可靠性提供了保障，有助于提升设备的长久性能。
四、应用领域
CR4N65A4K MOSFET因其独特的规格和优秀的性能，被广泛应用于以下领域：
开关电源: 其高耐压特性和低导通电阻使其成为开关电源设计中的理想选择，能够有效提升整体电源转换效率。
电机驱动: 在电机控制领域，CR4N65A4K能够高效控制电机的启停和调速，提高电机系统的响应速度和控制精度。
照明控制: 用于各种照明设备，特别是LED驱动电路，提供稳定可靠的开关控制，从而提高照明系统的稳定性和寿命。
逆变器: 在太阳能逆变器、UPS等设备中，该MOSFET能够提供高效的功率转换和相应的电压控制，增强系统的稳定性。
家用电器: 在家电产品中，如空调、洗衣机等，CR4N65A4K可有效作为开关元件以控制高功率负载，确保设备高效稳定运行。
五、总结
CR4N65A4K是一款高性能的N沟道MOSFET，凭借其650V的耐压、75W的功率处理能力以及优良的开关特性，为各种高功率电子应用提供了可靠的解决方案。凭借其低损耗、高效率的优势，它适用于开关电源、电机驱动、照明控制和其他高频快速切换的系统。华润微作为行业内知名的半导体制造商，在持续提升产品性能的同时，也为客户提供更优质的电力电子解决方案。