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AOTS21115C 产品实物图片
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AOTS21115C 特价
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOTS21115C

特价
商品编码: BM0222748567
品牌 : 
AOS
封装 : 
TSOP6
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 6.6A 1个P沟道 TSSOP-6
库存 :
53029(起订量1,增量1)
批次 :
两年外
数量 :
X
0.5841
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.5841
--
200+
¥0.4023
--
1500+
¥0.3663
--
产品参数
产品手册
产品概述

AOTS21115C参数

功率(Pd)1.6W反向传输电容(Crss@Vds)80pF@10V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@6.6A,4.5V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)930pF@10V连续漏极电流(Id)6.6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)150mV@250uA

AOTS21115C手册

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AOTS21115C概述

AOTS21115C 产品概述

一、产品基本信息

AOTS21115C 是一款高性能的 P 型场效应管(MOSFET),适用于各种高效能电源管理和信号切换应用。该器件在封装上采用了 TSSOP-6 封装形式,具有典型的低直流电阻和品质优秀的开关特性,适合用于需要低功耗和高效率的电路设计中。其额定功率为 2.5W,最大耐压为 20V,最大电流可达 6.6A。作为 AOS 品牌的一员,AOTS21115C 在市场上以其出色的性能和稳定的品质赢得了良好的声誉。

二、主要特性

  1. 低导通电阻:AOTS21115C 的低 R_ds(on) 值使其在工作时的能量损耗降至最低,能够有效提升电源的工作效率。这一特性在开关电源和 DC-DC 转换器中显得尤为重要,有助于延长设备的使用寿命。

  2. 高电流能力:这款 MOSFET 最高支持 6.6A 的连续工作电流,使其非常适合于大电流应用,如电机驱动、负载开关等场景。

  3. 宽工作温度范围:产品可在较宽的温度范围内工作,确保其在变化环境中保持稳定的性能,非常适合工业自动化、消费电子以及汽车电子等领域。

  4. 简易驱动:MOSFET 的门极驱动电平相对较低,方便与微控制器或其他逻辑电平电路集成,提升整个系统的设计灵活性。

  5. 节省空间的封装:TSSOP-6 小型封装可以有效节省 PCB 空间,特别适合空间有限的应用场合,如便携式设备和嵌入式系统。

三、应用领域

AOTS21115C 的高效性能和多功能特点使其在多种应用中表现出色:

  1. 电源管理:适用于开关电源、线性稳压器和 DC-DC 转换器等电源转换和管理电路,能够实现更高的电源效率。

  2. 电机驱动:在直流电机和步进电机的驱动应用中,该 MOSFET 能提供快速、可靠的开关控制,提升电动机的性能。

  3. 负载开关:广泛用于负载控制电路,如电池供电设备的开关管理,能够有效控制设备的通断。

  4. 消费电子:例如 LED 驱动、音频放大器等,助力提供更加高效和稳定的性能。

四、技术规格

  • 型号: AOTS21115C
  • 类型: P 型 MOSFET
  • 最大功耗: 2.5W
  • 最大漏源电压 (V_ds): 20V
  • 最大漏电流 (I_d): 6.6A
  • 封装类型: TSSOP-6
  • 材料: 硅(Silicon)

五、竞争优势

AOTS21115C 在市场上有着显著的竞争优势。首先,其性能参数优越,特别是其低导通电阻和高电流能力,使其在多种高要求的场合中表现出色。此外,AOS 品牌的信誉为产品质量提供了强有力的保障,企业和设计者在选择该元器件时可以放心。

由此,AOTS21115C 适合广泛的电子设计项目,从高端专业应用到日常消费电子设备,均可以有效提升系统的整体性能,减少能耗,提高效率,最终为用户提供更加出色的使用体验。对于追求高效率与高可靠性的电路设计师而言,选择 AOTS21115C 是一个明智的决策。