MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E参数
| 存储器类型 | 非易失 | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V | 技术 | 闪存 - NAND |
| 存储器格式 | 闪存 | 存储容量 | 1Gb（128M x 8） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） | 存储器接口 | 并联 |
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E手册
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E概述
产品概述：MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E
一、概述
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E是一款由镁光（Micron）生产的高性能非易失性闪存NAND存储器。该产品专为高密度、高速数据存储应用而设计，符合最新的存储技术标准。它集成了1Gb（128M x 8）的存储容量，适用于各种电子设备中的数据存储需求，尤其是在工控、消费电子及通信设备等领域。
二、基本特性
存储类型：MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E采用非易失性存储技术，意味着即使在断电情况下，数据也可以得以保留。这一特性使其非常适合用于需要快速存取且需要永久保存数据的应用场合。
供电电压范围：该产品的工作电压在2.7V至3.6V之间，广泛适用不同电源环境，确保设备在多种条件下的稳定性和可靠性。
技术特点：该闪存的NAND技术能够以非常快的速度进行数据写入和读取，这使得其在性能上远超传统的存储器，尤其在高数据密集型的应用场景中表现尤为突出。
工作温度范围：产品设计的工作温度范围从-40°C到85°C，适用于各种工业和户外环境，确保了在极端条件下的可靠性和稳定性，这对于要求严苛的工业应用尤其重要。
接口类型：MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E采用并联存储器接口，实现高带宽数据传输，支持大数据量的迅速处理，有助于提升整体系统的性能。
封装形式：该元件采用63-VFBGA（9x11）封装，具有空间占用小、热连接性能好等优点，特别适合在空间有限的智能设备中应用。
三、应用场景
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E适用于多种应用场合，包括但不限于：
- 消费电子：如智能手机、平板电脑和智能家电等，以提供大型数据集的快速存储和良好用户体验。
- 工业设备：用于数据采集、工业控制器及传感器等，以确保在复杂环境下的数据持久保存和可靠性。
- 通讯设备：在路由器、交换机等网络设备中，用于快速存取网络数据、配置文件等。
- Embedded系统：该闪存器件适合用于各种嵌入式应用，满足对高效、稳定数据存储的需求。
四、总结
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E作为一款先进的NAND闪存存储器，其特性和优势使其在多个行业中具备广泛的应用潜力。镁光的专业技术背景和对质量的严格把控，确保了该产品的稳定性和可靠性，无论在温度极端、需求复杂的工作环境中，均可完成高效的数据存储和处理任务。随着数据驱动时代的迅猛发展，MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E将为各类电子产品提供可靠的存储解决方案，有助于用户实现更高效的数据管理和使用体验。