MT47H128M8SH-25E:M

产品概述：MT47H128M8SH-25E:M

概述

MT47H128M8SH-25E:M 是一款由知名存储器制造商Micron（镁光）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款芯片采用DDR2 SDRAM技术，拥有1Gb（128M x 8）的存储容量，专为需要高性能和可靠性的电子应用而设计。由于其高访问速度及适中的工作电压，该芯片在包括计算机内存、网络设备和嵌入式系统等领域具有广泛的应用潜力。

主要特点

1. 存储器类型与技术：

   • MT47H128M8SH-25E:M 属于易失性存储器，它使用DDR2 SDRAM技术，这种技术相较于传统的SDRAM在数据传输率上有显著提升，因此适合高速应用。

2. 存储容量与结构：

   • 该芯片提供1Gb的存储容量，采用128M x 8位的架构，适合各种需要较大内存的应用场景。

3. 性能参数：

   • 时钟频率达400MHz，能够提供较快的数据访问速度。其访问时间仅为400ps，极大地缩短了内存操作周期。
   • 写周期时间为15ns，确保了在高负载下，数据能被及时写入，有效提升了系统的响应性能。

4. 供电和工作环境：

   • 工作电压范围为1.7V至1.9V，1.8V为典型值，使其能在低功耗环境下稳定运行。这一电压水平有助于延长系统的续航时间，尤其在移动设备的应用中表现出色。
   • 工作温度范围广泛，可在0°C至85°C的环境中正常工作，适应多种工业和消费电子的使用情境。

5. 封装与安装：

   • 采用60-Pin FBGA封装（8x10mm），该表面贴装型设计使得其在电路板上的安装更加方便，并能有效减少占用空间，符合现代电子设备设计的紧凑需求。

6. 适用领域：

   • MT47H128M8SH-25E:M 的高性能和可靠性使其适用于多种不同的应用，包括但不限于个人计算机领域、网络设备、游戏机、工业控制系统以及汽车电子领域。其优秀的性能参数确保了在高速数据处理时的稳定性，满足高带宽、高频率数据传输的需求。

应用优势

使用MT47H128M8SH-25E:M的设备能够受益于该存储器的高带宽和低功耗特性。对于需要快速内存响应和处理能力的应用，DDR2技术提供的双倍数据速率，实现了较高的数据通道带宽。其在现代电子设计中所带来的优势，特别是在性能与功耗之间的平衡，使其成为许多设计工程师的优选元件。

结论

MT47H128M8SH-25E:M 是一款出色的DDR2 SDRAM 存储器，适合各种高性能和高可靠性要求的应用。凭借其优化的性能参数、灵活的应用场景以及低功耗特性，该芯片为电子产品带来更高的性能和功效。Micron（镁光）的技术背景及其在存储器领域的领导地位，进一步增强了该产品的市场竞争力，为设计师和工程师在选择存储解决方案时提供了无遗憾的选择。