MT47H128M8SH-25E IT:M

产品概述：MT47H128M8SH-25E IT:M

MT47H128M8SH-25E IT:M是一款由镁光（Micron）生产的高性能动态随机存取存储器（DRAM），属于双倍数据速率2（DDR2）同步动态随机存取存储器。该芯片在设计上针对存储应用的高效性和低功耗进行了优化，适用于各种高科技设备中，如笔记本电脑、台式机、网络设备以及嵌入式系统。以下是该产品的详细技术参数及应用分析。

1. 基本技术参数

• 存储器类型：易失性
• 存储器格式：DRAM
• 技术标准：SDRAM DDR2
• 存储容量：1Gb (128M x 8)
• 存储器接口：并行接口
• 时钟频率：400MHz
• 写周期时间（字，页）：15ns
• 访问时间：400ps
• 供电电压：1.7V至1.9V
• 工作温度范围：-40°C至95°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装类型：60-Pin FBGA（FBGA-60，8x10mm）

2. 性能特点

MT47H128M8SH-25E IT:M以其高效的读写性能和稳定性而著称。其400MHz的时钟频率结合出色的访问时间（400ps）使其能够满足现代高速计算的需求。此外，产品的写周期时间为15ns，这对其在响应速度要求高的应用非常有利。作为一款DDR2 SDRAM，产品支持双倍数据吞吐量，意味着在同一时钟频率下，其传输速率是传统SDRAM的两倍，从而显著提升系统性能。

3. 电源与热管理

该存储器在工作时的供电电压范围为1.7V到1.9V，相对较低的电压要求使得MT47H128M8SH-25E IT:M在能源效率方面具有优势，适合于移动设备和需要长时间工作的系统。同时，拓展了-40°C至95°C的工作温度范围，使其在各种严酷环境下也能保持稳定的工作状态，符合车载、工业及其他极端环境的应用需求。

4. 封装与安装

MT47H128M8SH-25E IT:M采用60-Pin FBGA（Ball Grid Array）封装，尺寸为8x10mm。这种紧凑的设计使得它在电路板上的布局更加灵活，并降低实际应用中的所需空间，对那些对空间有严格要求的设计尤为适合。表面贴装型技术（SMT）不仅提高了生产效率，还改善了产品的电气性能和散热特性。

5. 应用场景

该存储器广泛应用于多种领域，包括但不限于：

• 移动设备：如智能手机和平板电脑，因其低功耗、高性能特点非常适合在电池供电的环境中使用。
• 计算机系统：在个体电脑（PC）和服务器中，尤其是在对内存带宽和响应速度要求较高的场合表现优越。
• 网络设备：如路由器、交换机等设备，因其高并行和容量支持，满足数据中心或企业网络的需求。
• 工业控制：在需要稳定和耐高温工作的系统中提供安全、可靠的存储解决方案。

6. 总结

MT47H128M8SH-25E IT:M是一款高效、稳定且具有竞争力的DDR2 SDRAM解决方案。凭借其高性能的参数和广泛的适用领域，已经成为许多现代电子设备中不可或缺的重要元件。其高效能与紧凑设计的结合使其在多种应用场景中都能够提供优异的性能表现，是设计师与工程师在选择存储器时值得考虑的优选产品。