MT41K64M16TW-107:J

MT41K64M16TW-107:J 产品概述

基本信息

MT41K64M16TW-107:J 是一款由镁光（Micron）生产的1Gb（64M x 16）DDR3L SDRAM DRAM芯片，设计用于高性能计算和存储解决方案。该芯片采用96-Pin TFBGA封装，尺寸为8mm x 14mm，适合表面贴装PCB布局。此产品主要用于要求较高的存储应用，例如笔记本电脑、台式机、服务器以及其他类似设备。

产品特点

1. 存储类型：

   • 作为一种易失性存储器，MT41K64M16TW-107:J适用于需要高速数据访问且数据能够在断电后丢失的环境。其结构设计保证了快速存取数据的能力。

2. 技术规格：

   • 采用DDR3L（低电压DDR3）技术，支持高达933MHz的时钟频率，这对于提高数据传输速率至关重要，从而满足现代计算要求。
   • 访问时间为20ns，实现了高效的数据访问，并能够支持多任务并行处理。

3. 供电电压：

   • 工作电压范围在1.283V至1.45V之间，低电压特性使得其在功耗方面表现优异，适合于需要延长电池寿命的移动设备或低功耗设计。

4. 工作温度：

   • 在0°C至95°C的温度范围内稳定工作，适合多种操作环境，包括严苛的工业应用。

5. 接口与组合：

   • 该芯片采用并联接口设计，便于与其他系统组件连接，提供灵活的系统集成方案。

6. 封装：

   • 96-FBGA（8 x 14）封装为其提供了小型化的优势，特别适用于高密度的电路设计，帮助节省PCB面积。

应用场景

MT41K64M16TW-107:J 适用于广泛的应用场景，具体包括：

• 个人计算机及移动设备：由于其高性能和低功耗特性，非常适合用于现代笔记本电脑、超极本和智能手机等设备，帮助提高整体系统的响应速度与用户体验。

• 服务器和数据中心：在需要大量快速存取数据的服务器环境中，该芯片能够提供稳定的性能，支持虚拟化及大数据处理应用，提高数据中心的计算效率。

• 嵌入式系统：适合各种嵌入式应用，如消费电子、工业控制仪器等，因为它能在温度波动较大的环境中可靠运行。

• 图形处理：在图形工作站及游戏设备中，MT41K64M16TW-107:J可为高性能图形处理任务提供必要的存储带宽。

结论

综上所述，MT41K64M16TW-107:J 作为镁光设计的高效能DDR3L DRAM芯片，凭借其优越的性能特性和广泛的应用能力，成为众多计算平台中不可或缺的关键组件。无论是在要求高速度与低功耗的消费电子产品，还是在需要高可靠性的工业应用中，该芯片都能提供强大的支持，助力推动技术发展和创新。