功率(Pd) | 1.4W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 57pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 105mΩ@4.5V,2A |
工作温度 | -40℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 40nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 570pF | 连续漏极电流(Id) | 5.1A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
CJQ9435是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),具有额定功率1.4W、额定电压30V和额定电流5.1A的特性。这款MOSFET由江苏长电(CJ)制造,采用SOP-8(150mil)封装,适合各种电子设备的应用需求。其设计旨在提供高效的功率控制及开关性能,广泛应用于电源管理、电池供电设备以及各种数字电路中。
高功率与电流承受能力: CJQ9435的单元功率达1.4W,最大承受电压为30V,而电流则可达到5.1A。这使得CJQ9435可广泛应用于对功率和电流要求较高的电路中,如电机驱动、LED驱动和负载切换等场景。
优越的开关特性: P沟道MOSFET的开关特性使其非常适合低侧开关和高侧开关的应用。CJQ9435具有较低的导通电阻(RDS(on)),可以有效减小开关损耗,提高系统的效率。
低功耗设计: 该MOSFET采用了先进的半导体工艺,保证了较低的静态功耗,并在开关操作过程中提供优良的热稳定性。这为电池供电设备提供了良好的能量利用率,延长了电池的使用寿命。
SOP-8封装: SOP-8(150mil)封装使得该组件具有较小的占板面积,适合于密集布线的电路设计。同时,良好的散热性能和电气性能使其成为各种应用的理想选择。
CJQ9435 MOSFET由于其优越的性能,适用于多个领域:
CJQ9435 P沟道MOSFET是一款性能优越、应用广泛的场效应管,凭借其高功率、高电流承受能力及低功耗特性,成为现代电子设计中不可或缺的组成部分。适合多种应用场景,能够有效提升系统的整体效率和稳定性。随着电子设备对能效和性能需求的不断提高,CJQ9435将为设计师提供强有力的支持和保障。