2N7002NXBKR
2N7002NXBKR参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 270mA（Ta），330mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 310mW（Ta），1.67W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 23.6pF @ 10V |
2N7002NXBKR手册
2N7002NXBKR概述
2N7002NXBKR 产品概述
概述
2N7002NXBKR 是由Nexperia USA Inc.生产的一款高性能N通道MOSFET，封装类型为TO-236AB，广泛应用于各种电子产品和电路设计中。这款器件以其优越的电流承载能力和高温工作范围，为现代电子设计提供了理想的选择。
主要特性
N通道技术：作为一种N通道MOSFET，2N7002NXBKR能够以低功耗驱动高负载，从而使其在需要高效电源管理的应用中表现出色。
高电流承载能力：在额定环境下，其25°C时连续漏极电流（Id）可达270mA，而在更高的散热条件下（Tc）可达330mA。这一特性使其在现代电源开关和控制电路中具有极大的灵活性。
低导通电阻：在200mA的电流条件下，2N7002NXBKR的最大导通电阻（Rds On）仅为2.8欧姆（10V），这确保了在高频开关应用中低的功耗和热量损失。
宽广的栅极驱动电压范围：其最大栅极驱动电压为20V，适用于多种逻辑电平驱动，同时保证了开关速度和驱动能力。
高功率耗散能力：该器件的最大功率耗散可达310mW（在Ta条件下）及1.67W（在Tc条件下），使其能够承受较高的负载而不会过热。
工作温度范围：工作温度范围为-55°C至150°C，适合在极端环境下的应用，保证了其在高温、高应力下的可靠性。
小型封装：TO-236-3（SOT-23-3封装）尺寸使得其非常适合空间受限的应用，同时也方便在现代表面贴装技术中的应用。
应用场景
2N7002NXBKR MOSFET具有广泛的应用前景，包括但不限于：
电源管理：在开关电源、线性调节器和逆变器等电源管理舞台上，能够有效控制电源的传输和转换效率。
信号开关：可用于音频信号的开关和视频信号线路控制，保证信号传输的低失真与低噪声。
负载驱动：自适应电机控制、应用于各种负载控制的驱动电路，如小型电机、继电器等，具有很好的响应速度和控制精度。
LED驱动：在LED灯驱动电路中可用来调节电流，保证LED的亮度控制，延长其使用寿命。
遥控与自动化设备：广泛应用于智能家居、工业自动化设备等对高效率和高稳定性有要求的电子产品中。
结论
2N7002NXBKR MOSFET以其兼具高性能、低功耗及广泛的工作温度范围，成为现代电子设计中的优选元件。它不仅提供了高效的电流控制方案，还充分展示了Nexperia在MOSFET设计和制造领域的专业技术。无论是在电源管理、信号控制还是负载驱动等多种应用场合，其卓越的性能都能确保系统的稳定性与可靠性。 选择2N7002NXBKR，将为您的项目带来高效与便捷的电气解决方案。