功率(Pd) | 360mW | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5Ω@10V,220mA | 漏源电压(Vdss) | 50V |
类型 | 1个N沟道 | 连续漏极电流(Id) | 220mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@1mA |
BSS138是一种N沟道增强型场效应管(MOSFET),其封装形式为SOT-23。该元器件的额定功率为360毫瓦,最大漏源电压为50伏,连续漏电流可达到220毫安。BSS138的特点使其在小型电子设备中广泛应用。
结构与材料: BSS138采用了半导体材料,通过现代工艺制造而成。其内部结构的设计使其具备优良的导电性能,能够快速响应外部信号。
集合特性:
开关特性: BSS138的N沟道设计使其在开关应用中表现出色。其低的开关电压和快速的开关速度使其在数字电路中尤为重要,能够实现高效的开关控制。
封装特性: SOT-23封装小巧,便于在PCB上布局,适合空间有限的电子产品。该封装支持自动化贴片工艺,提高了生产效率。
BSS138广泛应用于多个领域,以下是一些具体的应用场景:
开关电源: BSS138常被用于开关电源中的驱动器,可以有效控制电源的开关,实现高效能量转换。
低功耗电路: 该MOSFET的低功耗特性使其适用于各种低功耗电子设备,能够有效延长电池的使用寿命。
信号开关: 在数码产品与通信设备中,BSS138常用于信号切换和路由控制,能够快速切换不同的信号路径。
照明控制: BSS138可用于LED驱动电路中,作为开关元件,实现对LED照明的控制。
传感器接口: 由于其快速反应和稳定性,BSS138也适合用于传感器信号的放大与切换,常见于消费电子和自动化设备中。
BSS138作为N沟道MOSFET,其基本工作原理依赖于电场效应。通过在栅极施加正电压,可以使得源极和漏极之间形成导电通道。当栅极电压达到阈值电压(Vgs阈值),MOSFET便导通,形成电流通路;当栅极电压降低至阈值以下,通道关闭,电流停止流动。这一特性使得MOSFET适合于各类开关电路及调制应用。
BSS138作为一种高性能的N沟道MOSFET,凭借其优越的电气性能、紧凑的SOT-23封装以及较宽的应用范围,成为了现代电子设备设计中常用的基础元器件之一。无论是在开关电源、低功耗电路,还是在信号切换和LED驱动等领域,BSS138都展现出其独特的价值与重要性。对于设计工程师而言,选择BSS138将是实现高效、可靠电路设计的明智之选。