IXTP10P50P
IXTP10P50P参数
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2840pF @ 25V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 欧姆 @ 5A，10V | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） | FET 类型 | P 通道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 50nC @ 10V | 安装类型 | 通孔 |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
IXTP10P50P手册
IXTP10P50P概述
IXTP10P50P 产品概述
产品简介
IXTP10P50P是IXYS公司推出的一款高性能P沟道MOSFET，具有500V的漏源电压（Vds），最高可以承受10A的连续漏极电流（Id）以及最高300W的功率耗散（Tc）。这款元器件采用TO-220AB封装，方便在各种高功率应用中进行通孔安装。基于其卓越的电气特性和工作温度范围，IXTP10P50P广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源转换器等领域。
主要规格
漏源电压（Vds）: IXTP10P50P的漏源极电压最大可承受500V，使其非常适合需要高电压开关的应用场合。
导通电阻（Rds(on)）: 在5A、10V的条件下，该元器件的最大导通电阻仅为1欧姆，这使其在导通状态下具有极低的功率损耗，提高了整体能效。
输入电容（Ciss）: 在25V的驱动电压下，输入电容最大值为2840pF。较高的输入电容虽然在某些高频应用中会增加开关损耗，但对于一般开关应用而言，它提供了稳定的工作性能。
栅极电荷（Qg）: 在10V的条件下，栅极电荷最大值为50nC，这表示该MOSFET在驱动时将需要较低的输入功率，从而节省功耗。
阈值电压（Vgs(th)）: 在250µA的漏电流条件下，其阈值电压最大值为4V，这一特性使得MOSFET在低电压驱动条件下仍能快速开启。
工作温度: IXTP10P50P在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，适应严酷环境下的各种应用需求。
功耗能力: 最大功率耗散可达300W（Tc），使得该元器件能够处理高负载，适合要求高功率输出的设备。
应用场景
IXTP10P50P被广泛应用于需要高电压和高功率的领域。主要应用场合包括：
- 开关电源: 在AC-DC电源转换器中用作开关元件，能够降低能耗并提高系统效率。
- 电机驱动: 适用于直流电机和步进电机的驱动控制，提供响应快速、稳定的输出。
- 功率放大器: 在高效功率放大器设计中发挥关键作用，确保功率传输高效且稳定。
- 电源管理系统: 在电源转换及分配中担当重要角色，以高效稳定的特性来满足各种电源需求。
总结
IXTP10P50P作为一款高效、可靠的P沟道MOSFET，凭借其出色的电气性能和宽泛的应用能力，适用于如电源管理、电机驱动及各种高功率、高电压的电子产品。随着现代电子产品对能效及尺寸的严格要求，IXTP10P50P将继续在市场中发挥重要作用，为工程师提供强有力的解决方案。