驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.9V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 200mA,350mA | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 150ns,50ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
IR2108STRPBF 是一款高性能的栅极驱动集成电路(IC),由英飞凌(Infineon)公司制造,主要用于驱动IGBT和N沟道MOSFET。在现代电力电子应用中,IR2108STRPBF 由于其独特的特性和优势,被广泛应用于电动机控制、开关电源、逆变器和其他需要高效电源管理的场合。
半桥驱动配置:IR2108STRPBF 是一个半桥驱动器,适合于需要驱动高低侧开关的应用。该驱动器能够有效控制两个独立的功率开关,从而实现高效的电能转换。
高压性能:其高压侧电压最大可达600V,适用于高电压环境下的操作。例如,电动汽车、风力发电系统以及工业驱动应用等场合。
宽广的电源电压范围:该组件的供电电压范围为10V至20V,能够满足不同设计需求,确保适应多种工作环境。
快速的开关速度:IR2108STRPBF 的上升时间和下降时间分别为150ns和50ns,这意味着它在进行电力转换时能够实现快速的开关,从而提升系统的效率和响应能力。
大范围的工作温度:该器件的工作温度范围从-40°C到150°C,尤其适合极端环境下的应用,确保在严苛条件下的可靠性。
小型封装:采用8-SOIC封装(0.154"宽,3.90mm宽),便于在紧凑空间内进行集成,有助于设计小型化和高密度的电子系统。
专用的输入类型:IR2108STRPBF 采用非反相输入类型,简化了电路设计,并提高了系统的总体稳定性和可靠性。
峰值输出电流:该IC的峰值输出电流(灌入和拉出分别为200mA和350mA)为驱动大功率开关提供了足够的电流输出,确保实现快速且稳定的开关动作。
IR2108STRPBF 的设计使其适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
IR2108STRPBF 是一款功能强大、性能优异的栅极驱动IC,凭借其广泛的电压范围、快速的开关特性和高达600V的电压承受能力,使其成为电力电子设计师的理想选择。无论是在严苛的工作环境还是在对系统可靠性有高要求的应用中,IR2108STRPBF 都能够提供稳定的性能支持。通过选择IR2108STRPBF,设计师不仅能够提高电源管理的效率,同时也能够确保系统的稳定性与可靠性。