SPA17N80C3XKSA1 产品实物图片
SPA17N80C3XKSA1 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SPA17N80C3XKSA1

商品编码: BM0222048138
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220-3FP
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) SPA17N80C3XKSA1 TO-220-3-31
库存 :
19(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
19
按整 :
管(1管有997个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥19
--
100+
¥18.8
--
9970+
产品参数
产品手册
产品概述

SPA17N80C3XKSA1参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)800V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)290 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 1mA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)177nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2320pF @ 25V
功率耗散(最大值)42W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装PG-TO220-3
封装/外壳TO-220-3 整包

SPA17N80C3XKSA1手册

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SPA17N80C3XKSA1概述

SPA17N80C3XKSA1 产品概述

概述

SPA17N80C3XKSA1 是一款由英飞凌(Infineon)公司制造的高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),专为高压应用而设计。该元器件采用 PG-TO220-3 封装,具有良好的散热性能和电气特性,适合各种电子设备中作为开关和放大器使用。

技术参数

该 MOSFET 的主要电气参数包括:

  • 漏源电压 (Vdss):800V,意味着该器件能够在高电压环境下正常工作,适用于高压电源和逆变器等场合。
  • 连续漏极电流 (Id):17A(在 T case = 25°C 环境下),在正常的工作条件下,能提供稳定的电流输出。
  • 导通电阻 (Rds On):最大值为290毫欧在11A和10V的驱动电压下,具有较低的导通损耗,从而提高了整体效率。
  • 阈值电压 (Vgs(th)):最大值为3.9V @ 1mA,确保在适当的栅极电压下迅速导通。
  • 栅极电荷 (Qg):最大值为177nC @ 10V,表明其在开关过程中所需的栅极电荷相对较小,能够实现快速的开关操作。
  • 输入电容 (Ciss):2320pF @ 25V,提供良好的高频性能,是高频开关应用中的理想选择。
  • 工作温度:在-55°C 至 150°C 范围内可靠运行,适合各种极端环境条件。
  • 功率耗散 (Pd):最大42W(在 T case 下),确保在高功率应用中具有足够的安全性。

应用领域

SPA17N80C3XKSA1 的设计使其适用于多种应用,包括但不限于:

  1. 开关电源:在开关电源中用作主要的开关元件,以提高转换效率。
  2. 电动机控制:适合用于电机驱动控制,通过MOSFET快速切换与启停电机。
  3. 逆变器:可用于光伏发电系统中的逆变器,实现直流到交流电的转换。
  4. 电池管理系统:在电池保护电路中作为开关使用,为电池充放电提供安全保障。
  5. 照明控制:应用于智能照明系统,通过MOSFET实现对LED灯具的调光控制。

封装与散热

该器件采用 TO-220-3 封装,具备良好的空气对流散热能力和安装便捷性的优点。TO-220 封装可以通过散热器等外部散热措施来进一步提升散热性能,确保在高温环境下仍能稳定运行。

总结

总而言之,SPA17N80C3XKSA1 N 通道 MOSFET 是一款高压、高效率和高性能的电子元件,适用于多种工业和消费电子领域。凭借其出色的电气特性和温度适应能力,该元器件为设计工程师提供了灵活且可靠的解决方案,是现代电力电子产品不可或缺的关键元件。