FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 290 毫欧 @ 11A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 177nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2320pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 42W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
概述
SPA17N80C3XKSA1 是一款由英飞凌(Infineon)公司制造的高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),专为高压应用而设计。该元器件采用 PG-TO220-3 封装,具有良好的散热性能和电气特性,适合各种电子设备中作为开关和放大器使用。
技术参数
该 MOSFET 的主要电气参数包括:
应用领域
SPA17N80C3XKSA1 的设计使其适用于多种应用,包括但不限于:
封装与散热
该器件采用 TO-220-3 封装,具备良好的空气对流散热能力和安装便捷性的优点。TO-220 封装可以通过散热器等外部散热措施来进一步提升散热性能,确保在高温环境下仍能稳定运行。
总结
总而言之,SPA17N80C3XKSA1 N 通道 MOSFET 是一款高压、高效率和高性能的电子元件,适用于多种工业和消费电子领域。凭借其出色的电气特性和温度适应能力,该元器件为设计工程师提供了灵活且可靠的解决方案,是现代电力电子产品不可或缺的关键元件。