PMV19XNEAR
PMV19XNEAR参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 610mW（Ta），8.3W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18.6nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1150pF @ 15V |
PMV19XNEAR手册
PMV19XNEAR概述
PMV19XNEAR 产品概述
产品概况
PMV19XNEAR 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，由 Nexperia USA Inc. 制造，具有卓越的电气性能和可广泛适用于各种电子电路的能力。该器件采用 SOT-23 封装，特别设计用于满足现代电子应用中对小型化和高效能的需求。
关键参数
- 类型：N 通道 MOSFET
- 封装：SOT-23（TO-236AB）
- 连续漏极电流 (Id)：6A（在 25°C 下）
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 最大功率耗散：610mW（在 Ta 条件下），8.3W（在 Tc 条件下）
- 导通电阻 (Rds On)：最大 24 毫欧 @ 6A 和 4.5V 驱动电压
- 栅极至源极电压 (Vgs)：最大 ±8V
- 工作温度范围：-55°C 至 175°C（TJ）
- 门极电荷 (Qg)：最大 18.6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss)：最大 1150pF @ 15V
详细特性分析
电流与电压特性
PMV19XNEAR 支持最高 30V 的漏源电压，使其适合在低压至中压电源管理应用中使用。其连续漏极电流为 6A，可为需要高电流的电路提供稳定的电源，同时具有较低的导通电阻，可以显著降低功耗。最大 24 毫欧的导通电阻确保在高电流条件下也能维持较低的发热和更高的效率，极大地提高了产品的可靠性。
功率与温度特性
PMV19XNEAR 在功率处理方面表现出色，610mW 的功耗限制以及在较高温度条件下可达到 8.3W 的功率耗散，使其非常适合需要高功率密度的应用。这种高功率处理能力和宽温度操作范围（-55°C 至 175°C）使该器件能够在各种极端环境中正常工作，包括汽车、工业和消费电子产品。
驱动和门极特性
该 MOSFET 的驱动电压范围为 1.8V 至 4.5V，使其能兼容多种逻辑电平，满足不同应用需求。而最大 18.6 nC 的门极电荷（Qg）在快速开关应用中表现良好，能够实现快速的开关响应和低延迟。这些特性使得 PMV19XNEAR 可应用于高频率开关电源和其他要求快速响应的电路。
电气隔离与封装形式
PMV19XNEAR 采用 SOT-23 封装，小巧灵活，适合表面贴装。此封装形式不仅减少了 PCB 的占用空间，还能提高热管理性能，适合高集成的电路设计。此外，SOT-23 封装的电气隔离特性可降低元器件间交叉干扰，提高电路的整体稳定性。
应用领域
基于上述优越性能，PMV19XNEAR 被广泛应用于各类电子产品中，包括但不限于：
- 电源管理：高效的电源转换和管理应用，尤其是在 DC-DC 转换器、开关电源等场景。
- 电池供电设备：可在智能手机、平板电脑及其他便携设备中用作电源开关，提高电池使用效率。
- 汽车电子：适合用于汽车电气系统中的负载开关和电源管理，因其优良的温度特性和可靠性。
- 工业控制：在工业应用中，例如电动机驱动和基础设施自动化领域，PMV19XNEAR 提供了一个可靠的解决方案。
总结
PMV19XNEAR 是一款功能强大且多用途的 N 通道 MOSFET，可广泛应用于各种电子电路。其出色的电气性能、优越的功率处理能力、宽工作温度范围以及小巧的 SOT-23 封装，确保了其在现代电子设计中成为理想的选择。无论是在电源管理、汽车电子还是消费电子领域，PMV19XNEAR 都可有效提升系统的性能和可靠性。