2SK3541 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SK3541

商品编码: BM0221776685
品牌 : 
CJ(江苏长电/长晶)
封装 : 
SOT-723
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 150mW 30V 100mA 1个N沟道 SOT-723
库存 :
6797(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.523
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.523
--
500+
¥0.174
--
4000+
¥0.116
--
80000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SK3541参数

功率(Pd)150mW反向传输电容(Crss@Vds)4pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)13Ω@2.5V,1mA
工作温度-55℃~+150℃漏源电压(Vdss)30V
类型1个N沟道输入电容(Ciss@Vds)13pF
连续漏极电流(Id)100mA阈值电压(Vgs(th)@Id)800mV@100uA

2SK3541手册

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2SK3541概述

2SK3541 产品概述

一、简介

2SK3541是一款基于N沟道场效应管(MOSFET)技术的电子元器件。它被广泛应用于各类电子设备中,用于开关和放大信号,尤其适合于低功耗和高效能的电路设计。该器件的最大功耗为150mW,最大电压可达30V,最大电流为100mA,采用小型SOT-723封装,适合理解决方案中的空间限制问题。

二、产品特点

  1. N沟道设计:作为一款N沟道MOSFET,2SK3541在导通状态下具有较低的导通电阻,这使得它在开关应用中可以实现更高的效率和更低的功耗。
  2. 高集成度:SOT-723封装极为紧凑,特别是在空间受限的应用中表现出色,提供了很好的热管理和电气连接特性。
  3. 低功耗:该器件的最大功耗为150mW,在低电压和低电流应用中表现出色,非常适合便携式设备和低功耗应用的需求。
  4. 适用电压范围:能够承受最高30V的电压,非常适合用于低压供电的电路设计。
  5. 高可靠性:由江苏长电(CJ)品牌制造,确保了产品的高稳定性和良好的一致性,适用于多种工业和消费类电子产品。

三、技术规格

  • 功率:150mW
  • 最大电压:30V
  • 最大电流:100mA
  • 封装:SOT-723
  • 沟道类型:N沟道

四、应用场景

2SK3541的应用广泛,适合于多个领域,包括但不限于:

  1. 便携式设备:在移动电话、计算器和手持游戏机等便携式设备中,因其低功耗和紧凑的封装而被广泛使用。
  2. 电源管理:用于开关电源和电池管理系统中,能够有效控制功率的开关和分配。
  3. 信号放大:在音频放大器、RF放大器等应用中,作为信号前端的调节器,提升信号质量。
  4. 开关应用:在各种开关电路中,如继电器驱动电路、电动机控制等,发挥其快速开关能力。
  5. LED驱动:通过控制LED的开关状态,实现平滑的调光效果。

五、性能优势

2SK3541 MOSFET由于其结构设计,具有出色的开关能力和稳定的工作特性。在高频应用中,其延迟时间短,响应灵敏,适合用于高频开关电路。同时,N沟道MOSFET在处理高电流和电压时相较于P沟道具有更低的导通损耗,大大提升了整体电路的能效。

六、总结

2SK3541 N沟道MOSFET是一款低功耗,高效能的电子元器件,凭借其优异的电气性能和小型化的封装设计,适用于广泛的电子应用。无论是在便携式设备中,亦或是在电源管理和信号处理方面,2SK3541都展现出其高可靠性与灵活性。选择2SK3541将为您的设计带来更多的可能性和效益。