功率(Pd) | 150mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 4pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 13Ω@2.5V,1mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 漏源电压(Vdss) | 30V |
类型 | 1个N沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 13pF |
连续漏极电流(Id) | 100mA | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 800mV@100uA |
2SK3541是一款基于N沟道场效应管(MOSFET)技术的电子元器件。它被广泛应用于各类电子设备中,用于开关和放大信号,尤其适合于低功耗和高效能的电路设计。该器件的最大功耗为150mW,最大电压可达30V,最大电流为100mA,采用小型SOT-723封装,适合理解决方案中的空间限制问题。
2SK3541的应用广泛,适合于多个领域,包括但不限于:
2SK3541 MOSFET由于其结构设计,具有出色的开关能力和稳定的工作特性。在高频应用中,其延迟时间短,响应灵敏,适合用于高频开关电路。同时,N沟道MOSFET在处理高电流和电压时相较于P沟道具有更低的导通损耗,大大提升了整体电路的能效。
2SK3541 N沟道MOSFET是一款低功耗,高效能的电子元器件,凭借其优异的电气性能和小型化的封装设计,适用于广泛的电子应用。无论是在便携式设备中,亦或是在电源管理和信号处理方面,2SK3541都展现出其高可靠性与灵活性。选择2SK3541将为您的设计带来更多的可能性和效益。