制造商 | Infineon Technologies | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 最後搶購 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 70 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
频率 - 跃迁 | 150MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
基本产品编号 | BCR135 |
BCR135E6327HTSA1 是由知名半导体制造商英飞凌(Infineon Technologies)生产的一款 NPN 型预偏压晶体管,主要应用于数字电路和开关电路中。该元器件采用 SOT-23-3 封装,具有紧凑的体积和优良的电性能,适合于需要节省空间的电子设备。在电子元器件中,BCR135 以其高性能和可靠性成为许多设计工程师的首选。
高电流增益: BCR135 提供的电流增益 (hFE) 最低可达 70,这使得它在功率放大和开关应用中都能实现优秀的性能提升,确保在较低的基极电流下能够控制较大的集电极电流。
低饱和压降: 在设计中,特别是在低压应用中,饱和压降是一个非常重要的参数。BCR135 在 500µA 时的最大饱和压降为 300mV,能够有效降低功率损耗,提升系统的整体效率。
适应高频率操作: 该元器件的跃迁频率可达到 150MHz,确保其在高频数字信号处理中能够实现可靠的性能,适合用于开关频率较高的应用场合。
小型化设计: SOT-23-3 封装使得 BCR135 在面积占用上有着显著优势,适合便携式及其他体积受限的电子设备中,满足市场对轻量化和小型化的需求。
高可靠性: 作为来自英飞凌的产品,BCR135 具备良好的电气性能和长期的稳定性,能够在不同的工作条件下保持可靠运行。
BCR135 被广泛应用于各种需要开关和放大功能的电子设备中,具体应用包括但不限于:
BCR135E6327HTSA1 是一款性能优越的 NPN 型预偏压晶体管,凭借其良好的电流增益、低饱和压降和适用的高频特性,成为诸多电子设计中的理想选择。其紧凑的 SOT-23-3 封装也为各种便携式和小型设备提供了理想的解决方案。无论是在消费电子、工业自动化,还是数字信号处理等领域,BCR135 都展示了出色的性能和可靠性,是电子设计工程师不可或缺的优质元件。