功率(Pd) | 200W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 24pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.1mΩ@10V,20A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 70nC@30V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 4.5nF@30V | 连续漏极电流(Id) | 150A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
NCEP60T15G是新洁能(NCE)推出的一款高性能N沟道MOSFET(场效应管),具有出色的电流承载能力和电压耐受性能。该器件设计用于需要高效能和高密度功率应用的场合,适合用于电源电路、DC-DC转换器、马达驱动器、开关电源及其他高负载应用。其额定功率为200W,能够承受最高达60V的电压和150A的持续电流,是高功率设备和电源管理方案的理想选择。
NCEP60T15G广泛适用于多个行业,例如:
开关电源:由于其低导通电阻和高电流能力,该MOSFET适合用于开关电源设计,提高效率并降低发热。
电动车辆:在电动车辆的电源管理系统中,该组件能够有效控制电动机的驱动电流,并增强电网的稳定性。
电机控制:在电机驱动电路中,NCEP60T15G提供高性能的开关和控制能力,改善效率。
数据中心和服务器电源:高密度和高效能的设计非常适合数据中心的电源管理,能够确保稳定可靠的电源供应。
高效率:得益于其低Rds(on)特性,NCEP60T15G在工作过程中产生的能量损耗显著降低,提高了系统的整体效率。
热管理:良好的热性能使其在高功率应用中运行稳定,极大降低了外部散热需求。
高集成度:DFN封装设计在保证电气性能的同时,减少了电路板的占用空间,适合小型化设计需求。
快速开关特性:该MOSFET支持高速开关操作,适合于高频应用;增强了整体电源应用的响应速度。
高可靠性:新洁能在制造该器件时严格控制产品的一致性和可靠性,确保其在各种严苛条件下稳定运行。
在一个典型的DC-DC转换器电路中,NCEP60T15G作为主开关管,负责将输入电压转换为所需的输出电压。通过PWM(脉宽调制)信号控制其开启和关闭,MOSFET高效地转移能量,同时保持低输出噪声和高输出稳定性。当负载发生变化时,MOSFET能够快速调节其工作状态,始终保持高效能。
在电动汽车的电机驱动系统中,NCEP60T15G同样展现出其卓越的性能。通过精准的控制电流,该MOSFET保障了电动机的高效运行及高加速性能。
NCEP60T15G作为一款高流量、高电压的MOSFET,凭借其卓越的性能和广泛的应用场景,已逐渐成为高效电子设计中不可或缺的重要元件之一。其低功耗、高效率及优异的热管理特性,使其在现代功率电子市场中具有强大的竞争力,满足了各类高性能电源应用的需求。无论是在传统的电源转换领域,还是在新兴的电动车辆和工业自动化应用中,NCEP60T15G都将成为设计师和工程师们首选的解决方案。