NTR3C21NZT1G
NTR3C21NZT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 470mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17.8nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1540pF @ 16V |
| 基本产品编号 | NTR3C2 |
NTR3C21NZT1G手册
NTR3C21NZT1G概述
NTR3C21NZT1G 产品概述
产品背景
NTR3C21NZT1G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的一款高效能 N 通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），封装形式为 SOT-23-3，亦称 TO-236。这款元器件专为需要开关和放大功能的电子应用而设计，广泛应用于电源管理、信号放大、低电平开关等场景。
主要规格参数
- 制造商: ON Semiconductor
- 零件状态: 有源
- FET 类型: N 通道
- 电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A（在 25°C 的环境温度下）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V, 4.5V
- 导通电阻（最大值）: 24 毫欧 @ 5A, 4.5V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))（最大值）: 1V @ 250µA
- 栅极-源极电压 (Vgs)（最大值）: ±8V
- 功率耗散（最大值）: 470mW（在 25°C 环境温度下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（结温 TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳类型: SOT-23-3，SC-59
- 漏源电压 (Vdss): 20V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17.8nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）: 1540pF @ 16V
产品特性
高效能与低导通电阻: NTR3C21NZT1G 的导通电阻为 24 毫欧，对于需要频繁开关或在高频操作中的应用，这一特性能显著降低功耗和热量生成，提高整体系统的效率。
宽工作温度范围: 该器件支持在极端温度环境下操作，工作温度范围从 -55°C 到 150°C。这使得它非常适用于汽车电子、航空航天以及工业控制等要求高可靠性的应用。
适当的电压和电流能力: NTR3C21NZT1G 可以在最多可支持 20V 的漏源电压和 3.6A 的连续漏流下工作，这使它在多种电源管理设计中非常灵活，适用于高低电压环境。
表面贴装设计: SOT-23-3 的封装形式使得它在现代电子设备中非常方便安装，适合自动化焊接，同时帮助节省电路板空间。
应用领域
NTR3C21NZT1G 在多个电子应用中表现出色，其典型应用包括但不限于：
电源管理: 在开关电源、DC-DC 转换器和电池管理系统中用作开关元件，确保高效能与可靠的电源转换。
驱动电路: 在马达驱动、灯光开关和其他需要高电流控制的场景中，实现快速开关和信号放大。
汽车电子设备: 在汽车功率转换模块及相关电子控制单元中，充分发挥耐高温性能与高导电性。
精密仪器和测量设备: 在需要准确低电平信号切换的应用中，MOSFET 可确保快速响应并降低电能损耗。
总结
NTR3C21NZT1G 作为 ON Semiconductor 的一款高性能 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的规格参数和广泛的应用潜力，成为了现代电子设计中不可或缺的重要元器件。无论是在功率管理、信号传输，还是在复杂的电路设计中，NTR3C21NZT1G 都能凭借其稳定性和高效性能，为设计者提供可靠的解决方案。