SIR500DP-T1-RE3

SIR500DP-T1-RE3 产品概述

1. 产品背景

SIR500DP-T1-RE3 是来自 Vishay Siliconix 的一款高性能 N 通道 MOSFET，属于其 TrenchFET® Gen V 系列。作为一种场效应管，这款 MOSFET 被广泛应用于各种电子设备中，尤其适合需要高效率和可靠性的电源管理、开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。凭借其优越的电气特性和热表现，SIR500DP-T1-RE3 是现代电子设计中不可或缺的元件之一。

2. 产品规格

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET® Gen V
• 封装类型: PowerPAK® SO-8
• 零件状态: 在售
• FET 类型: N 通道 MOSFET
• 漏源电压 (Vdss): 30 V
• 25°C 时连续漏极电流 (Id): 85.9 A (Ta)，350.8 A (Tc)
• 驱动电压: 最小 Rds On 时 4.5 V，最大 Rds On 时 10 V
• 导通电阻 (Rds On): 最大 0.47 mΩ @ 20 A，10 V
• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大 2.2 V @ 250 µA
• 栅极电荷 (Qg): 最大 180 nC @ 10 V
• 输入电容 (Ciss): 最大 8960 pF @ 15 V
• 功率耗散: 最大 6.25 W (Ta)，104.1 W (Tc)
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 安装类型: 表面贴装型

3. 性能特点

SIR500DP-T1-RE3 在高频应用及高电流条件下表现出色。其较低的 Rds On 值（0.47 mΩ）使得器件在导通时能有效降低功率损耗和发热，从而提高电源的整体效率。此外，该 MOSFET 的高电流承载能力（最高可达 350.8 A）使其在需要大电流的应用中具有优越的性能。

阈值电压（Vgs(th)）的设定为 2.2 V，意味着该设备在相对较低的栅压就可以有效导通，给设计工程师提供了更大的灵活性。其最大栅极电荷（Qg）为 180 nC，这一特性使得驱动电路的设计更加简便，从而减少了整体设计的复杂度。

4. 应用领域

SIR500DP-T1-RE3 适用于广泛的应用场合，尤其是在高效的电源管理系统中，如：

• 开关电源（SMPS）: 在电源转换过程中，能够最大限度降低能量损耗，提升转换效率。
• DC-DC 转换器: 凭借其高电流承载能力，SIR500DP-T1-RE3 可以用于各种 DC-DC 转换器拓扑，如降压、升压和升降压转换器。
• 电池管理系统: 高效的 MOSFET 可以提高电池的充放电效率，延长电池的使用寿命。
• 电机驱动: 为电机提供高效和稳定的驱动信号，适合各种电动工具和电动车辆的应用。

5. 总结

SIR500DP-T1-RE3 是一款卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气性能和出色的热管理能力，能够满足现代电子设备对高效率和高可靠性的需求。作为 Vishay Siliconix TrenchFET® Gen V 系列的一部分，它在电力电子领域中占据了重要位置，为设计工程师在产品设计和开发过程中提供了极大的便利。无论是用于开关电源、DC-DC 转换器还是电机驱动，SIR500DP-T1-RE3 都展现出卓越的性能和广泛的应用前景。