SQD19P06-60L_GE3
SQD19P06-60L_GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 55 毫欧 @ 19A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 41nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1490pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 46W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
SQD19P06-60L_GE3手册
SQD19P06-60L_GE3概述
SQD19P06-60L_GE3 产品概述
一、产品简介
SQD19P06-60L_GE3 是一款由VISHAY公司制造的高性能P沟道MOSFET。这款元件采用表面贴装型TO-252 (D-Pak)封装，具有广泛应用于功率开关、逆变器、LED驱动等领域的优异性能。其能够承受的最大漏源电压为60V，连续漏极电流达到20A，这使其在高压和高电流条件下表现出色。
二、关键技术参数
FET 类型: 该元件为P沟道场效应管，能够在较低的栅电压下驱动，从而提高电路的稳定性和效率。
漏源电压（Vdss）: SQD19P06-60L_GE3的最大漏源电压为60V，适用于多种高电压应用场景，包括工业级别的电源管理。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的条件下，SQD19P06-60L_GE3支持的最大连续漏极电流为20A，能有效满足较大负载的需求。
导通电阻（Rds On）: 在10V的栅压下，导通电阻最大值为55毫欧（@ 19A），极低的导通电阻有助于降低功耗与发热，提高系统的效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 在最大值条件下，栅极阈值电压可达2.5V（@ 250µA），确保实现高效的开关能力和快速的响应时间。
栅极电荷（Qg）: 在10V驱动电压下，所需的栅极电荷为41nC，这意味着驱动电路的功耗较低且提高开关频率的能力较强。
输入电容（Ciss）: 在25V下的最大输入电容为1490pF，较低的输入电容有利于提高开关速度和降低开关损耗。
功率耗散: 最大功率耗散能力为46W（@ Tc），可以在较高负载条件下工作而不发生热失控。
工作温度范围: 该元件的工作温度范围为-55°C至175°C，适应各种恶劣环境中的应用需求。
封装信息: SO-252封装的设计使得该元件在PCB布局上更加灵活，占用空间小，适合高密度的电子产品设计。
三、典型应用
SQD19P06-60L_GE3广泛应用于：
DC-DC 转换器: 利用其高效导通特性，在开关电源中充当开关元件，提升系统效率。
电机驱动器: 采用其强大的导电能力，能够控制大型直流电机和步进电机。
LED 驱动电路: 由于其良好的线性排放能力，适用于高效的LED照明解决方案。
逆变器: 在太阳能逆变器等应用中作为开关元件，提供高效的功率转换。
电源管理电路: 在各种电子设备中充当节能控制组件。
四、市场竞争优势
SQD19P06-60L_GE3 以其极低的导通电阻和宽广的工作温度范围，在众多同类产品中脱颖而出。该元件的高功率处理能力和可靠性使其在众多工业及消费电子产品中得到了广泛的认可。此外，VISHAY作为知名电子元器件供应商，提供的高品质和全面的技术支持，进一步增强了该产品的市场竞争力。
五、结语
综上所述，SQD19P06-60L_GE3是一款可靠且高效的P沟道MOSFET，具备低导通电阻、宽工作温度高负载能力等优点，适合多种电子产品的设计需求。无论是在功率控制、开关电源，还是电机驱动应用中，SQD19P06-60L_GE3都将是一个优秀的选择。