SQJ409EP-T1_GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SQJ409EP-T1_GE3

商品编码: BM0221714857
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® SO-8
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
库存 :
9163(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
5.16
按整 :
卷(1卷有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.16
--
100+
¥4.31
--
750+
¥3.99
--
1500+
¥3.8
--
3000+
¥3.62
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SQJ409EP-T1_GE3参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)260nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)11000pF @ 25V
功率耗散(最大值)68W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerPAK® SO-8
封装/外壳PowerPAK® SO-8

SQJ409EP-T1_GE3手册

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SQJ409EP-T1_GE3概述

产品概述:SQJ409EP-T1_GE3

一、产品简介

SQJ409EP-T1_GE3 是一款高性能 P 通道 MOSFET,专为需要高效率和高功率密度的汽车应用设计。其主要特性包括:额定漏源电压为 40V,连续漏极电流可达 60A,具备非常低的导通电阻和优异的热性能,广泛适用于电源管理、马达驱动和负载开关等领域。

二、技术参数

SQJ409EP-T1_GE3 的主要参数如下:

  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)
  • 漏源电压(Vdss):40V,符合汽车电子设备的高效性要求
  • 连续漏极电流(Id):60A @ 25°C(Tc),在良好的散热条件下,可以提供强劲的输出能力
  • 驱动电压:4.5V 至 10V,适应不同电平的驱动需求
  • 导通电阻(Rds On):在 10A、10V 条件下,最大导通电阻为 7 毫欧,确保在工作时的高效率和低发热
  • 阈值电压(Vgs(th)):最大值为 2.5V @ 250µA,显示出优秀的开启特性
  • 栅极电荷(Qg):最大值为 260nC @ 10V,提供快速开关响应,有助于降低开关损耗
  • 最大 Vgs:±20V,支持宽范围的栅极电压
  • 输入电容(Ciss):在 25V 条件下,最大值为 11000pF,保证稳定的输入特性
  • 功率耗散:最大为 68W(Tc),适应高功率应用
  • 工作温度范围:-55°C 到 175°C,这一广泛的温度范围使得该器件在极端环境下也能正常工作

三、封装和安装

SQJ409EP-T1_GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装,该封装设计经过优化,以提高散热性能并减少占用空间。其表面贴装式设计便于自动化焊接,适合现代电子制造工艺。

四、应用场景

得益于其优异的性能和可靠性,SQJ409EP-T1_GE3 在汽车电子领域有着广泛的应用,例如:

  • 电源管理:在汽车电源转换模块中,提供高效的电流开关。
  • 马达驱动:适用于电动机控制电路,实现优秀的功率调度。
  • 负载开关:对负载进行高效管理,减少不必要的能量损耗。

此外,由于其 AEC-Q101 认证,SQJ409EP-T1_GE3 还可用于对温度和可靠性有严格要求的汽车应用,确保产品在严苛环境下的稳定运行。

五、总结

SQJ409EP-T1_GE3 是一款高效能、可靠性强的 P 通道 MOSFET,适合多种汽车应用。其低导通电阻、宽工作温度范围和优异的电气特性,使其成为电源管理、马达驱动及负载开关的理想选择。选择 VISHAY 的 SQJ409EP-T1_GE3,您将能在设计中实现更高的效率和更小的体积,提高整体系统的性能,满足现代汽车对电气性能的严格要求。