输入类型 | 非反相 | 驱动器数 | 2 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 驱动配置 | 高压侧或低压侧 |
逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.5V | 上升/下降时间(典型值) | 70ns,35ns |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 290mA,600mA | 通道类型 | 独立式 |
IRS2101STRPBF 是一款由英飞凌科技(Infineon Technologies)制造的高压栅极驱动器集成电路(IC),专为高效驱动 N 沟道 MOSFET 和 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)设计。这款产品具有优异的性能和稳定性,适用于各种应用场景,如电机驱动、电源转换器和逆变器等领域。
IRS2101STRPBF 是一种非反相的栅极驱动器,支持高压侧和低压侧的驱动配置,具有以下主要技术指标:
IRS2101STRPBF 采用表面贴装型(SOIC-8)封装,体积小、节省空间,方便嵌入到多种电路板设计中,其引脚配置优化了布局,减少了布线复杂性,有助于提升整体性能。其小巧的封装设计适应现代电子产品对小型化的需求。
IRS2101STRPBF 主要应用于以下领域:
作为市场上领先的高压栅极驱动器,IRS2101STRPBF 不仅在性能规格上具有显著优势,而且提供了高度的可靠性和耐用性,使其在竞争中更具吸引力。它的高集成度使得设计更加简单,能够缩短开发周期,同时借助于先进的制造工艺,降低了功耗,确保了系统的长寿命和高效运行。
IRS2101STRPBF 是一款高性能、高可靠性的高压栅极驱动器,适用于多种高压和高功率应用场景。其设计优化和灵活的电压范围,使其成为现代电子设计中的不可或缺的组成部分。对于需要高效能和耐受性强的驱动解决方案的设计人员而言,IRS2101STRPBF 无疑是一个理想的选择。无论是在新产品开发,还是在现有产品的升级中,IRS2101STRPBF 都展现出强大的竞争力和优势。